JS28F128J3F75A嵌入式闪存引脚配置及规格数据

JS28F128J3F75A是一款Numonyx®嵌入式闪存，由Alliance Memory, Inc.设计，该器件利用基于NOR的65nm技术的高质量和可靠性，提供了改进的主流性能和增强的安全功能。

JS28F128J3F75A器件提供128Mbit、64Mbit和32Mbit密度，具有高速、低功耗操作的可靠、低电压能力（3V读取、编程和擦除），该设备充分利用了成熟的制造经验，非常适合需要高密度和低成本的代码和数据应用，例如网络、电信、数字机顶盒、音频记录和数字成像。

此外，JS28F128J3F75A Numonyx闪存组件还提供新一代前向兼容软件支持，通过使用通用闪存接口（CFI）和可扩展命令集（SCS），客户可以利用未来Numonyx闪存设备的密度升级和优化的写入功能。

规格参数

功能属性

构造

—对称的128-KB块

—128Mbit（128个块）

— 64Mbit（64个块）

— 32Mbit（32个块）

—空白检查以验证已擦除的块

性能

— 初始访问速度：75ns

— 25ns 8字异步页面模式读取

— x16模式的256字写缓冲区，x8模式的256字节写缓冲区；每字节1.41 µs有效编程时间

系统电压

—VCC=2.7V至3.6V

—VCCQ=2.7至3.6V

封装

—56引脚TSOP

—64-Ball简易BGA封装

安全性

—增强的代码保护安全选项

—VPEN=Vss的绝对保护

—单独的块锁定

—在电源转换期间块擦除/程序锁定

—密码访问功能

—一次性可编程寄存器：64OTP位，由Numonyx 64 OTP位的唯一信息编程，可用于客户编程软件

— 编程和擦除暂停支持

— Numonyx® 闪存数据集成器 (FDI)

— 通用闪存接口 (CFI) 兼容

— 可扩展的命令集

质量和可靠性

— 工作温度：-40°C至 +85°C

— 每块100K最小擦除周期

— 65纳米闪存技术

— 符合JESD47E

引脚配置

框图

内存映射图

8-Word异步页面模式读取

块擦除流程图

封装尺寸设计参数

• 包装上的一个凹坑表示引脚1。
• 如果有两个凹坑，则较大的凹坑表示引脚1。
• Pin 1将始终位于包装的左上角，参考产品标记。

总结

JS28F128J3F75A可扩展命令集（SCS）允许所有主机系统中的单个简单软件驱动程序与所有符合SCS的闪存设备一起工作，而不依赖于系统级封装（例如，存储卡、SIMM或直接到板放置）。此外，SCS提供最高的系统/设备数据传输速率，并将设备和系统级实施成本降至最低。

JS28F128J3F75A每个设备都包含256字节（x8模式）或256字（x16模式）的写入缓冲区，以实现最佳编程性能。通过使用“写入缓冲区”，可以更有效地以缓冲区增量对数据进行编程。内存块可选择性地单独锁定在系统中。单个块锁定使用块锁定位来锁定和解锁块。块锁定位选通块擦除和编程操作。锁定位配置操作设置和清除锁定位（使用设置块锁定位和清除块锁定位命令）。