2N5089引脚配置_规格参数_典型应用电路

2N5089是一种基于NPN的放大器BJT，在饱和模式下像开关一样工作，而在有源区，它作为放大器工作。它是一种基于硅 (Si) 的晶体管，主要设计用于通过增强弱信号来放大音频信号，从而在低功率系统中的晶体管的集电极端子处生成强输出信号。

2N5089晶体管广泛用于音频设备中的放大，这种晶体管连续提供50m Adc的集电极电流。在本文中，小编简单介绍下2N5089 NPN放大器晶体管的相关基础配置及其应用。

基本概念

2N5089晶体管是BJT，由不同电子元器件制造商采用TO-92封装设计而成。设计这种晶体管的主要原因是将任何一种信号从低增益增强到高增益，这里被放大的信号可以是模拟信号或数字信号。

一旦使用普通的低噪声型晶体管放大低增益信号，那么晶体管也通过低增益信号增加噪声，因为从晶体管接收的输出与噪声混合。不过，2N5089晶体管具有2.0dB噪声系数的低噪声特性，因为该晶体管是低噪声输出信号。

此外，该晶体管也可以像开关一样用于操作低于100mA的负载，而且还可用于频率低于50MHz基于射频的应用。

引脚配置

2N5089晶体管的引脚配置及其符号如下图所示，该晶体管具有发射极、基极和集电极等三个端子。

• Pin1（发射极）：这是晶体管的发射极端子。
• Pin2（基极）：这是晶体管的基极端子。
• Pin3（集电极）：这是三极管的集电极端。

规格参数

2N5089 NPN晶体管的规格参数主要包括以下几点内容：

• 可用封装为TO-92
• 类型为NPN晶体管
• 集电极电流 (IC) 为 100mA
• 集电极到发射极电压或VCE（最大值）为25V
• 集电极至基极电压或VCB（最大值）为30V
• 发射极至基极电压或VEBO为 (Max) 为3V
• 集电极耗散或Pc（最大值）为625mW
• 过渡频率或fT（最大值）为50MHz
• DC或hFE的最小和最大增益范围为400至1200
• 存储和工作温度（最高）范围为-55°C至+150°C
• 集电极电流连续为50mA

SMD版本中等效的2N5089晶体管是采用SOT-23封装，其等效SMD版本型号包括：MMBT5089、2N5088、SS9014、BC550、BC548、BC547和BC549。

2N5089晶体管的替代型号包括：MPS6532、MPS650、MPSW0、MPSH10、ZTX690B、MPS650、MPSH10、MPSW0 & MPS6532。

应用电路

通常情况下，晶体管用作开关和放大器。在此典型的应用电路中，将简单介绍2N5089晶体管用作放大器。该电路主要设计为共发射极配置，因为该配置包含高增益，所以这个电路主要是用来放大信号的。

在上面的电路中，显示了2N5089晶体管在音频设备中的连接方式。耦合电容为'C1'，隔直电容为'C2'，集电极电阻为RC，一旦改变其值，电路的频率响应将发生变化，并通过控制CC来控制直流增益集电极电流。上述电路中使用的电阻R1和R2的作用类似于分压器，用于对晶体管进行偏置。

一旦音频输入信号被提供给晶体管的基极端子，一些电压就会被提供给晶体管的集电极端子以开启有源模式，所以这个晶体管用作放大器。

此外，上述电路中的音频输入信号为交流信号。耦合电容在电路中的主要作用是避免信号失真，否则会对较少的频率分量表现出高i/p阻抗，从而影响音频质量。

一个电容器串联在输出端以阻挡不需要的直流分量。此处，RC电阻用于控制集电极端的电流流动，从而控制放大器的增益。因此它负责电路的频率响应，流过NPN晶体管后的微弱无线电信号被放大，该放大信号用于低噪声和基于音频放大的系统。

主要优势

选择2N5089晶体管的原因有很多，这主要得益于它的一些典型优势，具体如下：

• 适用于低侧开关。同样，PNP晶体管可用于任何需要高侧开关的应用。
• 支持25V的集电极到发射极的击穿电压和30V的集电极到发射极的击穿电压。
• 以高达50mA的连续集电极电流工作。
• 提供高hFE，因此用于特定的音频相关产品或用于音频放大。

主要应用

2N5089 NPN晶体管的应用包括以下几点内容：

• 用于放大器系统
• 低于100mA的开关负载
• 高保真音频系统
• 50MHz以下的射频电路
• 音频前置放大器、音调控制
• 用于基于开关的应用
• 基于传感器的电路
• 无线电电路
• 杂项信号放大
• 信号调制
• 基于噪声放大的系统
• 高自动对焦系统
• 温度检测系统
• 推挽电路

总结

2N5089 NPN放大器晶体管基于硅材料，主要设计用于音频设备中的放大目的。该晶体管以两种模式工作，当这个晶体管工作在饱和模式时，它就像一个开关；而当它工作在有源区时，晶体管作为放大器工作。