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FDD5614P MOSFET规格参数_管脚配置_特性图

IC先生 IC先生 449 2022-11-29 14:53:03

FDD5614P是一款60V P沟道MOSFET器件,使用的是安森美半导体高压POWERTRENCH工艺,它主要是针对电源管理应用进行了优化。

FDD5614P器件的应用范围也非常广泛,常见的包括DC/DC转换器、电源管理、负载开关等等。

FDD5614P

规格参数

产品属性 属性值
制造商: 安森美
安装方式: 贴片/贴片
包装: DPAK-3
晶体管极性: P沟道
通道数: 1个
Vds – 漏源击穿电压: 60伏
Id – 连续漏极电流: 15安
Rds On – 漏源电阻: 76毫欧
Vgs – 栅源电压: –20伏,+20伏
Vgs th – 栅源阈值电压: 3伏
Qg – 栅极电荷: 24纳米
最低工作温度: –55摄氏度
最高工作温度: +175摄氏度
Pd – 功耗: 42瓦
频道模式: 强化
打包: 卷轴、切割胶带
下降时间: 12纳秒
正向跨导 – 最小值: 8秒
高度: 2.39毫米
长度: 6.73毫米
上升时间: 10纳秒
子类别: MOSFET
晶体管类型: 1个P沟道
类型: 场效应晶体管
典型关断延迟时间: 19纳秒
典型的开启延迟时间: 7纳秒
宽度: 6.22毫米
部件号别名: FDD5614P_NL
单位重量: 330mg

功能特性

  • −15安培,−60伏

RDS(ON)=100毫欧,VGS=−10伏

RDS(ON)=130毫欧,VGS=−4.5伏

  • 快速切换速度
  • 针对极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
  • 高功率和电流处理能力
  • 它是一款无铅设备

引脚配置

引脚配置

绝对最大额定值(TA=25°C)

绝对最大额定值(TA=25°C)

正向电压随电源电流和温度的变化

正向电压随电源电流和温度的变化

最大安全操作区域

最大安全操作区域

瞬态热响应曲线图

瞬态热响应曲线图

封装设计尺寸参数

封装设计尺寸

关于安森美半导体

安森美半导体公司是半导体解决方案的领先供应商,提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、标准和定制设备组合。该公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算、消费者、工业、医疗和军事/航空航天应用中的独特设计难题。

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文章标签: 晶体管
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