FDD5614P MOSFET规格参数_管脚配置_特性图
IC先生 IC先生 449 2022-11-29 14:53:03
FDD5614P是一款60V P沟道MOSFET器件,使用的是安森美半导体高压POWERTRENCH工艺,它主要是针对电源管理应用进行了优化。
FDD5614P器件的应用范围也非常广泛,常见的包括DC/DC转换器、电源管理、负载开关等等。
规格参数
产品属性 | 属性值 |
制造商: | 安森美 |
安装方式: | 贴片/贴片 |
包装: | DPAK-3 |
晶体管极性: | P沟道 |
通道数: | 1个 |
Vds – 漏源击穿电压: | 60伏 |
Id – 连续漏极电流: | 15安 |
Rds On – 漏源电阻: | 76毫欧 |
Vgs – 栅源电压: | –20伏,+20伏 |
Vgs th – 栅源阈值电压: | 3伏 |
Qg – 栅极电荷: | 24纳米 |
最低工作温度: | –55摄氏度 |
最高工作温度: | +175摄氏度 |
Pd – 功耗: | 42瓦 |
频道模式: | 强化 |
打包: | 卷轴、切割胶带 |
下降时间: | 12纳秒 |
正向跨导 – 最小值: | 8秒 |
高度: | 2.39毫米 |
长度: | 6.73毫米 |
上升时间: | 10纳秒 |
子类别: | MOSFET |
晶体管类型: | 1个P沟道 |
类型: | 场效应晶体管 |
典型关断延迟时间: | 19纳秒 |
典型的开启延迟时间: | 7纳秒 |
宽度: | 6.22毫米 |
部件号别名: | FDD5614P_NL |
单位重量: | 330mg |
功能特性
- −15安培,−60伏
RDS(ON)=100毫欧,VGS=−10伏
RDS(ON)=130毫欧,VGS=−4.5伏
- 快速切换速度
- 针对极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
- 高功率和电流处理能力
- 它是一款无铅设备
引脚配置
绝对最大额定值(TA=25°C)
正向电压随电源电流和温度的变化
最大安全操作区域
瞬态热响应曲线图
封装设计尺寸参数
关于安森美半导体
安森美半导体公司是半导体解决方案的领先供应商,提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、标准和定制设备组合。该公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算、消费者、工业、医疗和军事/航空航天应用中的独特设计难题。
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