IRF100B201引脚配置_规格参数_功能属性图
IC先生 IC先生 850 2022-12-12 17:26:34
IRF100B201功率MOSFET系列针对低RDS(开启)和高电流能力进行了优化,这些设备非常适合需要性能和耐用性的低频应用。全面的产品组合涉及广泛的应用,包括直流电机、电池管理系统、逆变器和DC-DC转换器。
IRF100B201器件采用标准引脚允许插入式更换,高载流能力TO-220封装,在低频应用中具有高性能应用,而且可以灵活提高功率密度。
规格参数
产品属性 | 属性值 |
---|---|
Infineon | |
产品种类: | MOSFET |
通孔 | |
TO-220-3 | |
N-沟道 | |
1个 | |
100V | |
192A | |
4.2mOhms | |
–20V, +20V | |
2V | |
170nC | |
–55°C | |
+175°C | |
441W | |
Enhancement | |
配置: | Single |
下降时间: | 100ns |
正向跨导 – 最小值: | 278S |
高度: | 15.65mm |
长度: | 10mm |
上升时间: | 97ns |
典型关闭延迟时间: | 110ns |
典型接通延迟时间: | 17ns |
宽度: | 4.4mm |
单位重量: | 2g |
功能特点
- 行业标准通孔电源组件
- 高电流额定值
- 根据JEDEC标准进行产品鉴定
- 硅优化用于低于100 kHz的应用切换
- 与上一代硅相比,采用增强体二极管dV/dt和dI/dt能力
- 改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性
- 无铅、符合RoHS、无卤素
- 完全特征化的电容和雪崩SOA
引脚配置
功能框图
典型导通电阻与栅极电压
最大安全操作区域
最大有效瞬态热阻抗特性
雪崩电流与脉冲宽度特性
典型储存电荷vs.dif/dt
封装设计尺寸参数
主要应用
- SMPS
- UPS
- 太阳能逆变器
- 直流电机驱动
- 电池供电应用
总结
IRF100B201是一款应用非常广泛的N沟道MOSFET器件,可应用于电机、整流电路、电源开关、逆变器等常见应用。更重要的是,IRF100B201器件所有功能参数均符号行业标准资质等级,可以放心选择使用。
如果需要采购IRF100B201器件,可以随时联系我们,提供正品原装规格型号,欢迎咨询。
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晶体管
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