怎么判断场效应管的好坏？场效应管结构、部件示意图

场效应晶体管，也叫FET晶体管，这款元器件可以通过电场控制半导体中载流子的形式和导电性，由于它们经历单载流子类型的操作，因此这些FET晶体管也称为单极晶体管。

所有形式的场效应管都具有高输入阻抗，输入电流调节非 FET 晶体管的导电性，因此输入阻抗较低。场效应晶体管的端子施加了一个电压，通过该电压可以调节电导率，施加到栅极的电压会在器件中产生一个电场，该电场会排斥和吸引两个端子之间携带的电荷，由于这些电荷载流子的密度，电导率也会受到影响。

场效应管由于其多参数可及性、电信号放大功能优异、易于大规模制造等先天优势，作为触觉传感器应用于柔性可穿戴设备、人工智能、物联网等领域。

场效应晶体管可分为以下两种类型：

结型场效应晶体管（JFET）

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）

场效应管的检测方法

1、把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管在量测的时候只应有一次有读数，而且数值在300--800左右；

2、如果在最终测量结果中测的只有一次有读数，并且为0时须万用表短接场效应管的引脚；

3、重新测量一次，若又测得一组为300--800左右读数时此管也为好管；

4、将万用表开到二极管档，用万用表的两个表笔量测D、S极和G、S极，看看两极之间的读数是不是很小，如果这个值在50以下，则可以判断为这个效应管已经被击穿。

场效应管有源部件、结构示意图

FET是一种电压驱动晶体管，不同于BJT，后者是一种电流驱动器件，之所以称为场效应晶体管，是因为流过沟道的电流会受到沟道周围形成的静电场的影响，该场的强度可以控制通道中电载流子的流动，FET 的有源区及其三个端子的示意图如下图所示 。

实际上，晶体管非常小，它的所有元件都制作在本身是半导体并且是晶体管元件的一部分的主体上，有许多类型的 FET，在某些（通道具有对称几何形状）中，源极和漏极的指定由偏置决定。

在另一些情况下，沟道不具有对称形状（在制造过程中结构不同）并且沟道的一侧被指定为源极而另一侧被指定为漏极，下图说明了 FET 的结构示意图：

与双极结型晶体管相比，源极、漏极和栅极分别对应于发射极、集电极和基极，此外，N 沟道 FET 是 NPN 晶体管的对应物，P 沟道 FET 对应于 PNP 晶体管。从物理上讲，FET与BJT相似，无法仅通过外观来区分它们。必须注意名称标签和制造商的数据表。

除了这两类晶体管之间的一些差异之外，双极晶体管可以完成的所有工作，例如放大，也可以由 FET 完成。在双极晶体管中，我们有一个共发射极、共基极和一个共集电极放大器，同样，在 FET 中，我们分别有共源、共栅和共漏放大器。

场效应管使用注意事项

1、为了安全地使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。

2、各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性，如结型场效应管栅源漏之间是PN结。N沟道管栅极不能加正偏压P沟道管栅极不能加负偏压等等。

3、MOS场效应管由于输人阻抗极高，所以，在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内，保存时最好放在金属盒内同时也要注意管的防潮。

4、为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地管脚在焊接时，先焊源极，在连人电路之前。管的全部引线端保持互相短接的状态‘焊接完后才把短接材科去掉从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等。当然，如果能采用先进的气热型电烙铁焊接场效应管是比较方便的，并且可确保安全在未关断电源时，绝对不可以把管插入电路或从电路中拔出。以上的安全措施在使用场效应管时必须注意。

5、在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件，为了防止管件震动有必要将管壳体紧固起来管脚引线在弯曲时，应当在大于很部尺寸5mm处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等

6、对于功率型场效应肾，要有良好的敞热条件，因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过其额定值，使器件长期、稳定、可靠地工作。

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