三星投资170亿美元赴美建芯片厂 对标台积电美国工厂！

早在2020年年中，台积电就做出赴美建厂决定。据台湾媒体报道，今年五月，台积电在美国的首座晶圆代工厂开始动工，按照计划，这家工厂将以5nm工艺为切入点，预计在2024年可以投入使用，月产能为两万片晶圆。不过，台积电赴美建厂项目进展似乎并不顺利。据说是因为工厂建设建设成本远超台积电预期，出现这种情况，主要原因是台积电工厂选址偏僻，设备、材料运输环境复杂，且美国疫情反复，人工成本不断提升。

三星电子最近也有了相同的动作，美国媒体22日报道，韩国三星电子公司计划在美国得克萨斯州泰勒市建芯片工厂，预计投资大约170亿美元。

《华尔街日报》援引消息人士的话报道，上述消息可能最早于23日宣布。得州州长定于当地时间23日傍晚宣布一项“经济方面”的消息。

报道说，预期在泰勒市新建的芯片工厂将创造大约1800个工作岗位。不过，这家工厂预计2024年年底才投产。为吸引三星投资建厂，泰勒市开出非常优厚的条件，优惠力度相当于头十年房产税减免多达92.5%。

作为全球营收最多的芯片制造商，三星电子计划今后3年投资超过2050亿美元，其中芯片制造是重中之重。

韩联社21日报道，三星电子副会长李在镕正在美国考察，19日与美国白宫高层会面，讨论美国政府为半导体企业提供优惠条件的方案等事项。李在镕18日会见负责半导体优惠法案的美国国会核心议员，希望他们促成法案通过。

为推动本国芯片制造业发展，美国国会参议院6月批准向在美国新建芯片工厂的企业提供规模达520亿美元的直接补贴，但众议院尚未采取行动。

美国半导体工业协会提供的数据显示，2020年美国芯片产能占全球12%，低于1990年的37%。

如果泰勒市最终赢得上述项目落地，将意味得州朝成为技术中心的目标再迈一步。美国特斯拉公司首席执行官埃隆·马斯克10月宣布，将把这家电动车制造商的总部从加利福尼亚州迁至得州。

三星美国芯片代工工厂可能会采用ASML公司的极紫外光刻设备。该公司计划在2022年左右通过全环绕栅极晶体管技术(Gate All Around)量产3纳米芯片，这种技术可以更精确地控制流过通道的电流，缩小芯片面积，并降低功耗。

在台积电和英特尔计划花费数十亿美元在全球新建最尖端的芯片厂后，三星决定在美国建芯片厂。三星希望赢得更多的美国客户，并缩小与台积电的差距。

三星将与台积电在美国展开正面交锋。台积电计划在2024年前使其亚利桑那州价值120亿美元的芯片工厂投产。三星正努力使其在全球芯片代工业务领域赶上台积电。鉴于近几个月来半导体短缺的加剧，芯片代工产能尤为关键。

据悉，由于这一消息尚未公开，这些知情人士要求不具名。三星的一位代表说，公司尚未做出最终决定，并拒绝进一步置评。

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