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LM5112中文参数_产品特征_原装供应

IC先生 网络 213 2023-11-20 17:38:49

LM5112器件MOSFET栅极驱动器在微小的6引脚WSON封装(SOT-23等效占地面积)或8引脚暴露衬垫MSOP封装中提供峰值栅极驱动电流,并改善了高频工作所需的功耗。复合输出驱动级包括MOS和双极晶体管并联工作,它们从容性负载中吸收超过7a的峰值。结合MOS和双极器件的独特特性,减少了驱动电流随电压和温度的变化。提供欠压闭锁保护,以防止由于栅极转换电压不足而损坏MOSFET。LM5112器件提供反相和非反相输入,以满足单一器件类型对反相和非反相栅极驱动的要求。


LM5112


LM5112的特性

  • LM5112-Q1是合格的汽车应用
  • AEC-Q100一级合格
  • 在汽车级流上制造
  • 复合CMOS和双极输出减少输出电流变化
  • 7-A吸收电流和3-A源电流
  • 快速传播时间:25ns(典型)
  • 快速升降时间:14ns或12ns
    2-nF负载上升或下降
  • 反相输入和非反相输入提供任意一种配置
  • 供电轨道欠压闭锁保护
  • 专用输入地(IN_REF)
    分割供应或单一供应操作
  • 功率增强型6针WSON封装
    (3 mm × 3 mm) or Thermally Enhanced
    MSOP-PowerPAD包
  • 输出波动从V开始CC到VEE哪些是相对于输入地负的

LM5112功能图

LM5112


LM5112规格参数

产品属性属性值
通道数1
电源开关MOSFET
峰值输出电流(A)7
输入VCC (min) (V)3.5
输入VCC (max) (V)14
特性Negative Output Voltage Capability
工作温度范围(℃)-40 to 125
上升时间(ns)14
下降时间(ns)12
传播延迟时间(µs)0.025
输入阈值TTL
通道输入逻辑Inverting, Non-Inverting
输入负电压(V)0
评级Catalog
欠压闭锁(类型)(V)3
驱动程序配置Single
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