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LM5112中文参数_产品特征_原装供应
IC先生 网络 176 2023-11-20 17:38:49
LM5112器件MOSFET栅极驱动器在微小的6引脚WSON封装(SOT-23等效占地面积)或8引脚暴露衬垫MSOP封装中提供峰值栅极驱动电流，并改善了高频工作所需的功耗。复合输出驱动级包括MOS和双极晶体管并联工作，它们从容性负载中吸收超过7a的峰值。结合MOS和双极器件的独特特性，减少了驱动电流随电压和温度的变化。提供欠压闭锁保护，以防止由于栅极转换电压不足而损坏MOSFET。LM5112器件提供反相和非反相输入，以满足单一器件类型对反相和非反相栅极驱动的要求。
LM5112的特性
- LM5112-Q1是合格的汽车应用
- AEC-Q100一级合格
- 在汽车级流上制造
- 复合CMOS和双极输出减少输出电流变化
- 7-A吸收电流和3-A源电流
- 快速传播时间:25ns(典型)
- 快速升降时间:14ns或12ns
2-nF负载上升或下降 - 反相输入和非反相输入提供任意一种配置
- 供电轨道欠压闭锁保护
- 专用输入地(IN_REF)
分割供应或单一供应操作 - 功率增强型6针WSON封装
(3 mm × 3 mm) or Thermally Enhanced
MSOP-PowerPAD包 - 输出波动从V开始CC到VEE哪些是相对于输入地负的
LM5112功能图
LM5112规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 通道数 | 1 |
| 电源开关 | MOSFET |
| 峰值输出电流(A) | 7 |
| 输入VCC (min) (V) | 3.5 |
| 输入VCC (max) (V) | 14 |
| 特性 | Negative Output Voltage Capability |
| 工作温度范围(℃) | -40 to 125 |
| 上升时间(ns) | 14 |
| 下降时间(ns) | 12 |
| 传播延迟时间(µs) | 0.025 |
| 输入阈值 | TTL |
| 通道输入逻辑 | Inverting, Non-Inverting |
| 输入负电压(V) | 0 |
| 评级 | Catalog |
| 欠压闭锁(类型)(V) | 3 |
| 驱动程序配置 | Single |
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