CSD87503Q3E前往购买
CSD87503Q3E中文参数_产品特性_原厂出售
IC先生 网络 136 2023-11-22 14:07:57
CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源极、双路 N 沟道器件，专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。此 3.3 × 3.3mm SON 器件具有低漏极至漏极导通电阻，可最大限度地较少损耗，且具有较少的组件数量，适用于空间受限的 应用。
CSD87503Q3E的特性
- 双 N 沟道共源极 MOSFET
- 针对 5V 栅极驱动器进行了优化
- 低热阻
- 低 Qg 和 Qgd
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
CSD87503Q3E功能图
CSD87503Q3E规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 30 |
| 配置 | Dual Common Source |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 21.9 |
| VGS=10 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 16.9 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 89 |
| QG(型)(nC) | 13.4 |
| QGD(型)(nC) | 5.8 |
| QGS(类型)(nC) | 4.8 |
| vg (V) | 20 |
| VGSTH类型(type) (V) | 1.7 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 10 |
| ID -套餐有限公司(A) | 10 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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