CSD22205L规格参数_功能特性_原装供应
IC先生 网络 136 2023-11-22 12:03:43
这款 -8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板栅格阵列 (LGA) NexFET™ 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供更低的导通电阻和栅极电荷。基板栅格阵列 (LGA) 封装是一种带有金属接触板(而非焊球)的器件芯片级封装。
CSD22205L的特性
- 低电阻
- 1.2mm × 1.2mm 小尺寸封装
- 0.36mm 厚,超薄型
- 无铅
- 栅源电压钳位
- 栅极 ESD 保护
- 符合 RoHS
- 无卤素
CSD22205L功能图
CSD22205L规格参数
产品属性 | 属性值 |
---|---|
VDS公司(V) | -8 |
vg (V) | -6 |
配置 | Single |
VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 9.9 |
VGS=2.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 15 |
VGS=1.8 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 40 |
Id峰值(max) (A) | -71 |
Id max cont (A) | -7.4 |
QG(型)(nC) | 6.5 |
QGD(型)(nC) | 1 |
QGS(类型)(nC) | 1.2 |
VGSTH类型(type) (V) | -0.7 |
ID -硅限制在TC=25°C (A) | 7.4 |
逻辑电平 | Yes |
工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
评级 | Catalog |
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芯片
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