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CSD18510KTT产品参数_产品特性_原装现货
IC先生 网络 51 2023-11-22 16:40:26
这款 40V、1.4mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。
CSD18510KTT的特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS
- 无卤素
- D2PAK 塑料封装
CSD18510KTT功能图
CSD18510KTT规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 40 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 2.6 |
| VGS=10 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 1.7 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 400 |
| QG(型)(nC) | 119 |
| QGD(型)(nC) | 21 |
| QGS(类型)(nC) | 28 |
| vg (V) | 20 |
| VGSTH类型(type) (V) | 1.7 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 274 |
| ID -套餐有限公司(A) | 200 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 175 |
| 评级 | Catalog |
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芯片
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