CSD13380F3前往购买
CSD13380F3产品规格_产品特征_原装原厂
IC先生 网络 99 2023-11-22 16:47:07
该 63mΩ、12V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
。
.
CSD13380F3的特性
- 低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 高漏极工作电流
- 超小尺寸
- 0.73mm × 0.64mm
- 薄型封装
- 最大厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 > 3kV 人体放电模型 (HBM)
- 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
CSD13380F3功能图
CSD13380F3规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 12 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 76 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 13.5 |
| QG(型)(nC) | 0.91 |
| QGD(型)(nC) | 0.15 |
| QGS(类型)(nC) | 0.19 |
| vg (V) | 8 |
| VGSTH类型(type) (V) | 0.85 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 3.6 |
| ID -套餐有限公司(A) | 3.6 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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芯片
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