CSD19538Q2前往购买
CSD19538Q2中文参数_产品特点_现货专卖
IC先生 网络 121 2023-11-22 16:19:42
这款 100V、49mΩ、采用 2mm × 2mm SON 封装的 NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
CSD19538Q2的特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装
CSD19538Q2功能图
CSD19538Q2规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 100 |
| 配置 | Single |
| VGS=10 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 59 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 34.4 |
| QG(型)(nC) | 4.3 |
| QGD(型)(nC) | 0.8 |
| QGS(类型)(nC) | 1.6 |
| vg (V) | 20 |
| VGSTH类型(type) (V) | 3.2 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 13.1 |
| ID -套餐有限公司(A) | 14.4 |
| 逻辑电平 | No |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
热点资讯
周度热榜
月度热榜
年度热榜
推荐商品
猜你想看
版权声明：
部分文章信息来源于网络以及网友投稿，本网站只负责对文章进行整理、排版、编辑，是出于传递更多信息之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性，如本站文章和转稿涉及版权等问题，请作者及时联系本站，我们会尽快处理。
文章标签:
芯片
热点资讯
