CSD23280F3前往购买
CSD23280F3规格参数_产品特征_原装供应
IC先生 网络 51 2023-11-22 10:03:05
该-12V、97mΩ P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
CSD23280F3的特性
- 低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 高漏极工作电流
- 超小尺寸
- 0.73mm × 0.64mm
- 超薄型封装
- 最大厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 > 4kV HBM
- 额定值 > 2kV CDM
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
CSD23280F3功能图
CSD23280F3规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | -12 |
| vg (V) | -6 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 116 |
| VGS=2.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 165 |
| VGS=1.8 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 250 |
| Id峰值(max) (A) | -11.4 |
| Id max cont (A) | -1.8 |
| QG(型)(nC) | 0.95 |
| QGD(型)(nC) | 0.068 |
| QGS(类型)(nC) | 0.3 |
| VGSTH类型(type) (V) | -0.65 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 1.8 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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