CSD17382F4前往购买
CSD17382F4中文规格_产品特点_原厂出售
IC先生 网络 99 2023-11-22 17:08:16
该 30V、54mΩ N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能最大限度地减小在许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
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CSD17382F4的特性
- 低导通电阻
- 低 Qg 和 Qgd
- 低阈值电压
- 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
- 1.0mm × 0.6mm
- 超薄型封装
- 厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 > 3kV 人体放电模型 (HBM)
- 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
CSD17382F4功能图
CSD17382F4规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 30 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 67 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 14.8 |
| QG(型)(nC) | 2.1 |
| QGD(型)(nC) | 0.63 |
| QGS(类型)(nC) | 0.41 |
| vg (V) | 10 |
| VGSTH类型(type) (V) | 0.9 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 2.3 |
| ID -套餐有限公司(A) | 2.3 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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芯片
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