CSD75208W1015规格参数_功能特性_原厂出售
IC先生 网络 117 2023-11-23 12:43:20
此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型低厚度封装结合在一起,使得此器件成为电池供电运行空间受限应用的 理想选择。
CSD75208W1015的特性
- 双路 P 通道 MOSFET
- 共源配置
- 1.5mm x 1mm 小尺寸封装
- 栅极 - 源电压钳位
- 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
CSD75208W1015功能图
CSD75208W1015规格参数
产品属性 | 属性值 |
---|---|
VDS公司(V) | -20 |
vg (V) | -6 |
配置 | Dual Common Source |
VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 108 |
VGS=2.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 150 |
VGS=1.8 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 285 |
Id峰值(max) (A) | -22 |
Id max cont (A) | -1.6 |
QG(型)(nC) | 1.9 |
QGD(型)(nC) | 0.23 |
QGS(类型)(nC) | 0.48 |
VGSTH类型(type) (V) | -0.8 |
ID -硅限制在TC=25°C (A) | 1.6 |
逻辑电平 | Yes |
工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
评级 | Catalog |
热点资讯
周度热榜
月度热榜
年度热榜
推荐商品
猜你想看
版权声明:
部分文章信息来源于网络以及网友投稿,本网站只负责对文章进行整理、排版、编辑,是出于传递更多信息之目的,并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性,如本站文章和转稿涉及版权等问题,请作者及时联系本站,我们会尽快处理。
文章标签:
芯片
热点资讯