CSD17577Q3A产品规格_功能图_原厂出售
IC先生 网络 98 2023-11-23 09:40:31
这款 30V,4.0mΩ,SON 3.3mm × 3.3mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中以最大程度降低电阻。
顶部图标 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 50°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值。最大 RθJC = 3.0°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%
CSD17577Q3A的特性
- 低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封装
应用范围
- 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
- 针对控制和同步 FET 应用进行了优化
CSD17577Q3A功能图
CSD17577Q3A规格参数
产品属性 | 属性值 |
---|---|
VDS公司(V) | 30 |
配置 | Single |
VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 6.4 |
VGS=10 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 4.8 |
IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 239 |
QG(型)(nC) | 13 |
QGD(型)(nC) | 2.8 |
QGS(类型)(nC) | 5.1 |
vg (V) | 20 |
VGSTH类型(type) (V) | 1.4 |
ID -硅限制在TC=25°C (A) | 83 |
ID -套餐有限公司(A) | 35 |
逻辑电平 | Yes |
工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
评级 | Catalog |
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芯片
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