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CSD17577Q3A产品规格_功能图_原厂出售

IC先生 网络 98 2023-11-23 09:40:31

这款 30V,4.0mΩ,SON 3.3mm × 3.3mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中以最大程度降低电阻。

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要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 50°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值
。最大 RθJC = 3.0°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

CSD17577Q3A


CSD17577Q3A的特性

  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封装

应用范围

  • 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
  • 针对控制和同步 FET 应用进行了优化


CSD17577Q3A功能图

CSD17577Q3A


CSD17577Q3A规格参数

产品属性属性值
VDS公司(V)30
配置Single
VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ)6.4
VGS=10 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ)4.8
IDM -脉冲漏极电流(最大)(A)239
QG(型)(nC)13
QGD(型)(nC)2.8
QGS(类型)(nC)5.1
vg (V)20
VGSTH类型(type) (V)1.4
ID -硅限制在TC=25°C (A)83
ID -套餐有限公司(A)35
逻辑电平Yes
工作温度范围(℃)-55 to 150
评级Catalog
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