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CSD17552Q3A产品参数_功能特性_现货出售
IC先生 网络 115 2023-11-24 13:12:12
此 30V、5.5mΩ、3.3mm × 3.3mm SON NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗。
CSD17552Q3A的特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
CSD17552Q3A功能图
CSD17552Q3A规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 30 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 8.1 |
| VGS=10 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 6 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 84 |
| QG(型)(nC) | 9 |
| QGD(型)(nC) | 2.3 |
| QGS(类型)(nC) | 3.6 |
| vg (V) | 20 |
| VGSTH类型(type) (V) | 1.5 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 74 |
| ID -套餐有限公司(A) | 60 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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芯片
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