25n120场效应管参数 绝缘栅型场效应管的优势特性

25n120型号场效应管是一款优秀的，电子元器件，场效应管可以通过控制一个沟道中的电场强度来控制通过沟道的电流的强度，绝缘栅型场效应管是场效应管的一种，其特点是在沟道的一端安装了一个绝缘栅，通过控制绝缘栅上的电位来控制沟道中的电流，下面来看看25n120型号场效应管的产品参数等信息。

一、25n120场效应管产品介绍

25N120参数

型号：ASEMI场效应管25N120

集电极-发射极电压：1200V

栅极-发射极电压：20V

集电极电流：25A

脉冲集电极电流：75A

二极管连续正向电流：25A

二极管最大正向电流：150A

最大功耗：125W

工作结温：-55 to +150℃

二极管的热阻，结到外壳：2.0℃/W

集电极截止电流：3mA

G-E漏电流：250nA

输入电容：3700pF

输出电容：130pF

反向传输电容：80pF

二极管正向电压：2.0V

二极管反向恢复时间：235ns

二极管反向恢复电荷：3130nC

25N120规格尺寸

总长度：39.9mm

本体长度：19.9mm

引脚长度：20.0mm

宽度：15.6mm

高度：4.8mm

脚间距：5.45mm

以上就是25n120型号场效应管的产品介绍，它是一款绝缘栅双极型晶体管，下面来看看绝缘栅型场效应管的介绍：

二、绝缘栅型场效应管介绍

绝缘栅型场效应管由金属、氧化物、半导体制成，简称MOS场效应管，它的栅极被绝缘层SiO2隔离，输入电阻更高，绝缘栅型场效应管有N沟道和P沟道，可以分为增强型和耗尽型，栅极和导电沟道之间PN结被反向偏置，栅极基本不取电流，输入电阻很高可达10^7欧姆，如果要得到更高输入电阻，可以采用绝缘栅型场效应管。

绝缘栅型场效应管包括MOSFET和JFET两种类型，MOSFET是最常用的绝缘栅型场效应管，它具有高效率、低功耗、高导通比等优点，而JFET具有简单的结构和易于制造等优点。

绝缘栅型场效应管的工作原理是，通过控制绝缘栅上的电位来改变沟道中的电场强度，从而控制通过沟道的电流，在绝缘栅型场效应管中，源极、汇极和绝缘栅三个端子是必不可少的，通过控制绝缘栅上的电位，从而影响沟道中的电场强度，最终控制通过沟道的电流。

绝缘栅型场效应管的应用领域十分广泛，如电源管理、模拟电路、数字电路、音频电路等。

三、绝缘栅型场效应管的优势

绝缘栅型场效应管（IGBT）是一种半导体电子器件，它是由三个主要部分组成：p型场效应管，n型场效应管和双极型结构。它的主要功能是控制大功率电流的输送，因此，IGBT常用于工业和家用电器、电动汽车和电力领域。

IGBT具有优秀的特性，使其成为许多电动设备的理想选择，首先，IGBT具有高的效率，因为它拥有场效应管和双极型结构的优点，场效应管具有高的电流导通能力和低的动态电阻，而双极型结构具有高的电压承受能力和低的漏电流，因此，IGBT可以快速、高效地控制大功率电流。

其次，IGBT具有较高的可靠性，由于其结构简单，容易生产和实现，因此其具有较高的生产可靠性和稳定性，此外由于其结构特殊，因此具有较高的耐久性，可以承受高电压和高电流的冲击。另外，IGBT具有较低的成本，由于其生产成本较低，因此在市场上价格较低。

关于25n120型号场效应管参数，以及绝缘栅型场效应管的介绍就到这里，25N120使用专有的沟槽设计和先进的NPT技术，1200V NPT IGBT提供卓越的传导和开关性能、高雪崩耐用性和易于并行操作，25N120该器件非常适合谐振或软开关应用如感应加热、微波炉等。