CSD87381P场效应管产品应用功能介绍、引脚图布局图

CSD87381P场效应管NexFET™电源块II是针对同步降压应用的高度优化设计，能够在3mm× 2.5mm的小外形尺寸封装内提供大电流和高效率， 针对5V栅极驱动应用进行了优化，这款产品可提供高效且灵活的解决方案，在与外部控制器/驱动器的任一5V栅极驱动器配套使用时，可提供一个高密度电源。

CSD87381P型号NexFET电源块是使用5V栅极的同步降压应用的优化设计驾驶，控制FET和同步FET硅被参数化调整，以产生最低的功率损耗和最高的系统效率。因此，需要一种新的评级方法，该方法以系统为中心环境系统级性能曲线，如功率损耗、安全操作区域和标准化图形允许工程师预测实际应用中的产品性能。下面来看看CSD87381P场效应管的产品引脚信息、电路图：

产品图片

引脚信息

电路图

需要以MOSFET为中心的参数来估计器件产生的损耗，为了简化工程师的设计过程，TI提供了实测的功耗性能曲线。该曲线的测量方法为按照最终应用程序的方式配置和运行CSD87381P，具体可见下面这张典型应用图，测量的功率损耗是CSD87381P损耗，包括输入转换损耗和栅极驱动损耗。CSD87381P能够以大于10 kV/µs的速率切换电压，注意PCB布局输入电容器、电感器和输出电容器的设计和放置。

典型应用图

输入电容器相对于CSD87381P装置VIN和PGND引脚的位置，应具有组件放置例程期间的最高优先级，将这些节点长度最小化至关重要，像这样的陶瓷输入电容器需要尽可能靠近VIN和PGND引脚，下图的示例使用1 x 10 nF 0402 25 V和4 x 10μF 1206 25 V陶瓷电容器，TDK部分编号C3216X5R1C106KT或同等。

注意，电路板的两侧都有陶瓷电容器其中适当数量的通孔互连两个层，就放置在功率级C21、C5、C8、C19和C18应按顺序排列，输出电感器的开关节点应相对靠近电源块II CSD87381PVSW引脚，最小化这两个组件之间的VSW节点长度将减少PCB传导并且实际上降低了开关噪声电平。

CSD87381P数据表中的标准化曲线为功率损耗和SOA调整，提供了指导基于他们的应用特定需求，这些曲线显示了功率损耗和SOA边界如何调整给定的一组系统条件，主y轴是功率损耗的归一化变化y轴，是为了符合SOA曲线所需的系统温度的变化，权力的变化损耗是功率损耗曲线的乘数，温度变化从SOA曲线中减去。

在设计示例中，SOA温度调整会降低允许的电路板或环境温度温度为2.2ºC，如果调整值为负数，则减去负数将导致容许板或环境温度的增加。

以上就是CSD87381P场效应管的介绍，如果您需要采购这款产品，可以参考以上信息。