BSS84 MOSFET引脚配置_规格参数_中文资料
P沟道增强型类晶体管BSS84 MOSFET的开发是由安森美半导体公司采用DMOS技术和高单元密度开发的。这种开发过程非常高,可降低导通电阻并提供快速切换、可靠和坚固的性能。
在大多数需要高达0.13A的直流电流并且可以产生等于0.52A的电流的应用中,该晶体管的使用更方便。BSS84晶体管特别适用于基于低压的应用。本文简单介绍BSS84 MOSFET引脚配置和应用特性等内容。
基本概念
BSS84是一种P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET),它主要设计用于不同的应用,如高速、计算、消费、工业和通信应用的开关设备。
BSS84是一种扩散型MOS(金属氧化物半导体)晶体管,由于具有快速开关特性,适用于使用高频的应用。这种MOSFET主要是为了降低状态电阻而设计的,同时保持更好的开关性能,因此非常适合高效应用的电源管理。
引脚配置
BSS84 MOSFET是一个三端晶体管,下面讨论每个引脚及其功能。BSS84 MOSFET的引脚图如下所示:
- Pin1(漏极):该晶体管中的电流将流经源极引脚,并使用漏极引脚流出。
- Pin2(栅极):可以根据栅极引脚上施加的电压来激活和停用该晶体管。
- Pin3(源极):源极引脚用于为晶体管供电。
规格参数
BSS84 MOSFET晶体管特性和规格参数包括以下几方面内容:
- 它是一个P沟道和增强型MOSFET
- 工作温度范围为-55ºC至+150ºC
- 阈值电压低
- 耗散功率最大值为0.30W
- 高速切换
- 允许的脉动漏极电流为-1.2A
- 导通电阻极低
- 最大连续漏极电流为-130mA
- 无劣质击穿
- 栅源电压最大值为±20V
- 可以直接连接到TTL和CMOS
- 漏源电压最大值为-50V
- 电压控制的小信号P沟道开关
- 电池设计为低RDS(on) 的高密度
- 饱和电流高
- 无铅和无卤素设备
- 适用于所有具有5V的逻辑系列
- 适用于较少的栅极驱动源
- 阈值电压低
- 开关速度高
- 栅极 (G) 至源极 (S) 电压为±20V
- 三极管的极性为P沟道
- 漏源击穿电压为-50V
- 栅极到源极的击穿电压为+/- 20V
- 不间断漏极电流为0.13A
- 漏源电阻如 RDS (on) is10 Ohms
- 最高工作温度为+150°C
- 封装是SOT-23
- 安装方式为SMD或SMT
- 低输入电容
- 切换速度快
- 输入或输出泄漏低
等效的BSS84 MOSFET器件型号是ZXMP2120FF、NDS332P、AO3401和IRLML6402。一般情况下,BSS84 MOSFET被用作高速开关器件,以取代数字电路中使用的所有常用晶体管,因为它是通过高单元密度方法专门设计用于高速开关应用的。
BSS84晶体管专门设计用于使用低电压的应用。因此,该设备主要在通过电池运行的系统中选择。这种设计可以通过特殊的设计程序来完成,从而在整个操作过程中实现极小的导通电阻。所以在某些应用中,这种电阻特性是一个条件。因此,该晶体管用于高效应用。
应用电路
BSS84 MOSFET的简单应用电路如下图所示,在该电路中,BSS84主要用作开关器件,电路中使用的电机作为负载工作,如下图所示:
MOSFET的栅极端子由“Vo”等电压信号切换,这里的电压信号是微处理器/微控制器的输出。提供给MOSFET的电源来自负电源,如VDS=-10V。我们都知道P沟道增强MOSFET的特性,一旦G(栅极)与S(源极)连接处的电压供应没有低于固定阈值电压,该晶体管就不会运行。
通过漏极 (D) 的电流流动可以通过 G(栅极)端子上等于固定点的电压来决定。因此,当栅极电压较低时,MOSFET的导通电阻较低,漏极电流较高。这种MOSFET只要在栅极(G)端有一个负电压就可以工作,因此,直接去除栅极电压,MOSFET就会停止工作。
所以将相同的特性应用到这个应用电路中以供理解。现在考虑像“Vo”这样的电压信号没有提供给晶体管的栅极端子。因此,在这种情况下,晶体管将不会运行,因为至少需要在栅极端子处提供负-2V电压才能激活器件。
当在设定的时间通过微控制器给出-5V的栅极信号时,MOSFET将开始工作。因此,现在整个晶体管的电流供应和这种电流会导致电压下降超过负载。所以这个电压降会打开负载。
电路中使用的负载是电机,它会持续旋转,直到微控制器出现负电压,并且像“Vo”这样的直流电压将变为0V以停止电机旋转。因此,BSS84在上述应用中被用作开关器件,并且使用类似的方法,可以在其它不同的电路中使用该晶体管。
主要应用
BSS84 MOSFET器件的主要应用包括以下几方面内容:
- 能源管理
- 工业、通讯、互联网
- 消费类电子产品
- 通过电池供电的系统
- 电源管理功能、照明系统
- 信号放大器
- 电话机内的线路电流中断器
- 线性变压器驱动器
- DC-DC转换器
- 控制电源管理
- 直流电机的控制
总结
以上就是关于BSS84 MOSFET数据表的相关内容概述,其中包括其引脚配置、规格参数和应用电路等。BSS84芯片的主要优点主要包括,饱和电流高,DMOS技术,开关性能优越,基于高密度单元设计,电压控制的小信号P沟道开关,性能可靠且坚固耐用。