IRFP240场效应管引脚图_规格参数_应用特性

IRFP240是一种N沟道MOSFET晶体管，它具有较高的电流密度和低的RDS（on），它可以在200V的工作电压下提供最大的220A的集电极电流。此外，它还具有较低的ON状态损耗和较小的开关时间。

IRFP240器件也可以在非常低的频率下工作，因此适合于高功率应用。它还具有很好的耐受性能，使其能够承受较大的冲击和抗干扰能力，而且还具有很好的散热性能，因此不会出现过热问题。

此外，IRFP240采用TO-247封装的N沟道功率MOSFET，因此它具有许多内置功能，总结起来如下：

• 具有简单的驱动要求：IRFP240具有简单的驱动要求，因此也可用于使用5V至6V电源的低压便携式和电池供电应用。
• 高漏源电压：具有高达200V的高漏源电压，这使其非常适合用于高压直流应用和交流应用。
• 孤立的中央安装孔：具有隔离的中央安装孔，可将晶体管与电路隔离。
• 高开关速度（纳秒级）：具有纳秒级的高开关速度，因此该晶体管可用于需要非常高速开关的应用。例如，想要将负载从输入电源切换到另一个输入电源而没有延迟或断电的电路中。
• 低 RDS(on)：低 RDS(on) 或低漏源电阻可确保晶体管处于导通状态时的低功耗。
• IRFP240其它的一些特性还包括易于并联、额定重复雪崩、动态dV/dt额定值等。

符号图

IRFP240晶体管包含源极、栅极、漏极等三个引脚，其符号图如下所示：

规格参数

• 封装类型：TO-247
• 晶体管类型：N沟道
• 从漏极到源极施加的最大电压：200V
• 最大栅源电压应为：±20V
• 最大持续漏极电流为：20A
• 最大脉冲漏极电流为：80A
• 最大功耗为：150W
• 导通状态下的最大漏源电阻 (RDS on)：0.180Ω
• 最高存储和工作温度应为：-55至+150摄氏度

主要应用

IRFP240的主要应用是电机驱动器、DC-DC转换器、继电器驱动器、大功率晶体管驱动器，一些其它的应用还包括：

• 开关模式电源
• 交流到直流转换器应用
• 电池管理系统电路
• 不间断电源电路
• 太阳能充电器
• 太阳能电源
• 音频放大应用
• 电池充电器电路
• 汽车应用

在电路或设计中使用此MOSFET之前，重要的是要了解其栅极需要多少电压才能完全导通以驱动负载。正如我们已经提到的，该MOSFET具有简单的驱动要求，因此它需要较少的栅极电压即可完全导通。在性能曲线图中，它显示要驱动高达10A的负载，它的栅极需要5V到6V的电压，这确保它可以很容易地从Arduino、树莓派、微控制器和IC等低功率电路中获得。

另外，在使用时应该了解该晶体管的安全操作指南，具体如下：

• 不要在其绝对最大额定值下使用晶体管，并保持至少比其最大额定值低20%。
• 最大漏源电压为200V，因此不要驱动超过160V的负载。
• 最大连续漏极电流为20A，因此不要驱动超过16A的负载。
• 为晶体管使用合适的散热器。
• 在高于-55°C和低于+150°C的温度下存储或操作MOSFET。

最大有效瞬态热阻抗特性

峰值二极管恢复dV/dt测试电路

封装设计参数

总结

IRFP240 N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管是一种先进的功率MOSFET，经过设计、测试和保证，能够在击穿雪崩模式下承受规定的能量水平。所有这些功率MOSFET都是为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的高功率双极开关晶体管的驱动器等应用而设计的。这些类型可以直接从集成电路操作。

如果你正在寻找能够以200V驱动高达20A负载的N沟道MOSFET，那么IRFP240器件应该是一个不错的选择。