TPS51604DSGR栅极驱动IC原理图框图引脚信息介绍

TPS51604DSGR驱动器针对高频CPU VCORE应用进行了优化，具有降低死区时间驱动和自动零交越等高级特性，可用于在整个负载范围内优化效率，SKIP引脚提供CCM操作选项，以支持输出电压的受控管理。

此外，TPS51604支持两种低功耗模式，借助于脉宽调制（PWM）输入三态，静态电流被减少至 130µA，并支持立即响应，当SKIP被保持在三态时，电流被减少至8µA，恢复切换通常需要20µs，本文将为您介绍TPS51604DSGR栅极驱动IC这款产品的功能信息。

此驱动器与合适的德州仪器控制器配对使用，能够成为出色的高性能电源系统，TPS51604器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装，工作温度范围为-40°C至105°C。

TPS51604DSGR栅极驱动IC的PWM引脚包含输入三态功能，当PWM被驱动进入三态窗口，并且驱动器进入具有零退出延迟的低功率状态。大头针在低功率模式期间，将电压保持在三态窗口内，进入和退出三态状态的操作遵循中概述的时序图，当VDD达到UVLO_H电平时，为PWM输入电压设置三态电压范围，这个窗口被定义为PWM逻辑高和逻辑低阈值之间的PWM电压范围。

引脚图

功能框图

这个设备设置高电平输入电压和低电平输入电压阈值电平，以适应3.3V和5V PWM驱动信号，当PWM退出三态状态时，驱动器将进入CCM 4µs，而不考虑以下状态SKIP销，典型操作需要此时间段，以便自动调零比较器恢复。

TPS51604DSGR驱动器采用防穿透和自适应死区控制，以最小化低侧车身二极管传导时间并保持高效率，当PWM输入电压变高时，低侧MOSFET栅极电压在传播延迟之后开始下降，同时，检测到DRVL电压在DRVL电压低于适当阈值之后，驱动电压开始增加。

应用图

电路原理图

典型操作使低侧闸门关闭到高侧闸门之间的停滞时间，接近于零电压导通，高侧栅极截止到低侧栅极导通，以避免以及减少体二极管传导和恢复损耗，此操作还可减少在SW波形的前沿振铃。

为了保持BST-SW电压接近VDD，以在高侧FET上获得较低的传导损耗，VDD管脚和BST管脚之间的传统二极管被由DRVL信号选通的FET代替。TPS51604DSGR的驱动程序针对高频CPU VCORE应用，进行了优化高级功能，如减少空载驱动和自动过零用于在整个负载范围内优化效率。