TPD4E001DBVR抑制器二极管规格参数原理应用资料

TPD4E001DBVR是一款基于静电放电（ESD）保护二极管阵列的四通道瞬态电压抑制器TVS，TPD4E001的额定ESD冲击消散值达到了IEC 61000-4-2国 际标准中规定的最高水平。

该器件每通道具有1.5pF IO电容，因此非常适合用在高速数据IO接口中，具有超低泄漏电流（最大值 < 1nA），因此适合在血糖仪和心率监护仪等应用中进行精密模拟测量，下面一起来看看TPD4E001DBVR抑制器二极管的产品资料。

TPD4E001可提供 DRL、DBV 、DCK、DRS和 DPK封装并且其额定运行温度介于–40°C至+85°C之间，另请参见TPD4E1U06DCKR和TPD4E1U06DBVR，它们与TPD4E001DCKR和TPD4E001DBVR引脚对引脚兼容，这些器件具有更高的IEC保护性能、更低的电容、更低的钳位电压，并且不再需要输入电容器。

TPD4E001DBVR抑制器是一种低电容单向ESD保护装置，该设备由一个中央ESD箝位器，每线具有两个隐藏二极管，以减少电容负载。中央ESD箝位器也连接到VCC以为VCC线提供保护，每个IO线的额定值均能消除ESD，超过IEC 61000-4-2第4级国际标准中规定的最高水平，TPD4E001的低负载电容使其成为保护高速信号终端的理想选择。

引脚功能图

应用原理图

TPD4E001是一种无源集成电路，每当电压高于VBR或低于VBR时二极管Vforward（–0.6 V）出现在被保护的电路上，ESD事件期间，电压高达±15kV可通过内部二极管网络接地和VCC，一旦受保护线路上的电压低于TPD4E001的触发电压（通常在10秒内），设备将恢复到高阻抗状态。

当放置在USB连接器附近时，TPD4E001 ESD解决方案在由于低IO电容和超低漏电流规格，正常工作，TPD4E001确保核心电路受到保护，并且系统在ESD冲击的情况下正常运行。

综合来看，TPD4E001DBVR是二极管阵列型瞬态电压抑制器，通常用于提供接地路径，用于在人机接口连接器和系统当来自ESD的电流通过TVS时，二极管两端仅存在小的电压降，这是提供给受保护IC的电压，触发TVS的低RDYN保持该电压VCLAMP，至受保护IC的可容忍水平。