FSDM1265RBWDTU电源管理芯片引脚图电路图技术参数

FSDM1265RBWDTU是一个集成的脉宽调制器和SenseFET，专门为具有最小外部组件的高性能离线SMPS设计，该设备是一个集成的高压电源开关调节器，它结合了坚固的雪崩感测FET和电流模式PWM控制块。

PWM控制器包括集成的固定频率振荡器、欠压锁定、前沿消隐、优化的栅极驱动器、内部软启动和精确的电流源，这些电流源经过温度补偿，用于环路补偿和自我保护电路。与分立MOSFET和PWM控制器解决方案相比，它可以降低总成本、部件数量、尺寸和重量，同时提高效率、生产率和系统可靠性。该设备是一个基本平台，非常适合于反激式转换器的成本效益设计，下面一起看看FSDM1265RBWDTU电源管理芯片的产品功能信息。

产品图片

引脚图

应用图

FSDM1265RB具有多种自我保护功能，如过载保护、过压保护和热关机，由于这些保护电路完全集成到IC中，没有外部组件，因此可以在不增加成本的情况下提高可靠性，一旦出现故障情况，开关停止，SenseFET保持关闭，这会导致Vcc下降。

当Vcc达到UVLO停止电压8V时，保护复位，内部高压电流源通过Vstr引脚对Vcc电容器充电，当Vcc达到UVLO启动电压12 V时，FSDM1265RB恢复正常运行。因此，自动重启交替启用和禁用电源SenseFET的切换，直到故障条件消除。

功能框图

变压器原理图

如果次级侧反馈电路发生故障或焊料缺陷导致反馈路径开路，则通过光耦合器晶体管的电流几乎为零，然后，Vfb以类似于过载情况的方式上升，迫使预设的最大电流被提供给SMPS，直到OLP被激活。

FSDM1265RBWDTU采用电流模式控制，如下图的脉宽调制电路图所示，光耦合器（如H11A817A）和分流调节器（如KA431）通常用于实现反馈网络，将反馈电压与Rsense电阻器两端的电压以及偏置电压进行比较，可以控制开关占空比。当KA431的参考引脚电压超过2.5V的内部参考电压时，H11A817A LED电流增加，从而降低反馈电压并降低占空比，通常，当输入电压增加或输出负载降低时，就会发生这种情况。

脉宽调制电路

由于向输出端提供的能量超过了所需的能量，因此在OLP启动之前，输出电压可能会超过额定电压，从而导致二次侧的设备发生故障，为了防止这种情况，使用了OVP电路。通常，Vcc与输出电压成比例，FSDM1265RB使用Vccinstead直接监测输出电压，如果VCC超过19V，OVP电路被激活，导致开关操作终止，为了避免正常运行期间OVP的不期望激活，Vcc应设计为低于19V。

FSDM1265RBWDTU有一个内部软启动电路，该电路增加PWM比较器，并在启动后缓慢反转输入电压和SenseFET电流，典型的软启动时间为10ms。功率开关设备的脉冲宽度逐渐增加，以建立变压器、电感器和电容器的正确工作条件，输出电容器上的电压逐渐增加，以平滑地建立所需的输出电压，这也有助于防止变压器饱和，减少启动期间二次二极管上的应力。