BSC005N03LS5前往购买
BSC005N03LS5产品参数_产品功能_原装原厂
IC先生 网络 16 2023-12-08 11:23:58
凭借 OptiMOSTM 5 功率 MOSFET 30V，英飞凌提供了标杆解决方案：无论是在待机状态还是完全运行状态下，都能实现高功率密度和高能源效率。采用 SuperSO8 封装的 BSC004NE2LS5 提供了 0.55mOhm 的 BiC RDS(on)。
BSC005N03LS5的特性
- 出色的导通电阻
- 标杆开关性能 (最低品质因数 RDS(on) x Qg 和 RDS(on) x Qgd)
- 符合 RoHS 标准，无卤素
- 针对环形电路优化的特定部件，可提供较低的 RDS(on)
- 带有集成式肖特基二极管的部件以及可减小漏电流的型号
BSC005N03LS5优势
- 高效率
- 采用 SuperSO8 封装，实现高功率密度
- 降低整体系统成本
BSC005N03LS5规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.89 |
| ID(@25°C) | 433 A |
| IDpuls | 1731 A |
| 越来越多的 | SMD |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 188 W |
| 包 | SuperSO8 5x6 |
| 极性 | N |
| QG (type @4.5V) | 59 nC |
| QG(类型@10V) | 122 nC |
| RDS (on) (@4.5V) | 0.95 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 0.55 mΩ |
| VDS公司 | 30 V |
| vg (th) | 1.5 V 1 V 2 V |
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芯片
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