2ED1321S12M产品参数_功能特性_原装供应
IC先生 网络 45 2023-12-08 08:56:15
EiceDRIVER™ 1200 V高压侧/低压侧栅极驱动器IC,该IC具有典型的2.3 A拉电流和4.6 A灌电流,采用DSO-16(300mil)封装,适用于1200V SiC MOSFET和IGBT功率器件。2ED1321S12M基于我们的SOI技术,针对VS引脚上的负瞬态电压具有出色的坚固性和抗噪声能力。由于该器件没有寄生晶闸管结构,因此其设计在整个工作温度和电压范围内,都非常可靠,可防止寄生闩锁效应。
2ED1321S12M的特性
- 独特的英飞凌薄膜绝缘体上硅(SOI)技术
- 最大自举电压(VB节点):+1225 V
- 工作电压(VS节点):+ 1200 V
- 在700 ns重复脉冲下,对负VS瞬态电压具有100V的抵抗能力
- 峰值输出拉电流/灌电流:2.3 A / 4.6 A
- 集成超快速的过流保护(OCP)功能
- 高达±5%的参考阈值精度:
- 关断时间:小于1 us
- 超快、低电阻集成自举二极管
- 具有死区时间和直通保护功能的集成逻辑电路
- 具有使能、故障和可编程故障清除RFE输入接口
- 在VS引脚上,逻辑工作范围可达–8V
- 每个通道都有独立的欠压锁定(UVLO)
- VCC电源电压:25 V(最大值)
- 独立的逻辑地(VSS)和输出接地(COM)
- 封装宽度达300 mil,确保电气间隙/爬电距离大于5mm
- 2 kV HBM ESD能力
2ED1321S12M优势
- 1200 V大电流 (2.3 A/4.6 A) ,小尺寸封装中集成了自举二极管,从而降低了BOM成本并缩小了PCB空间,降低了成本,简化了设计。
- 经过优化的栅极驱动器解决方案,带来了设计灵活性,适用于基于1200 V IGBT/SiC的PIM、分立式开关。
- 能够抵御100 V负VS瞬态电压,提高了器件的可靠性/稳定性。
- 降低50%的电平转换损耗,可实现更低的工作温度和更高的可靠性。
- 防止闩锁效应,提高了可靠性。
- 集成了快速准确的过流保护功能,与分立式运算放大器解决方案相比,节省了空间和成本,并保护了开关。
- 欠压锁定功能可在低电源电压下提供保护。
2ED1321S12M规格参数
产品属性 | 属性值 |
---|---|
渠道 | 2 |
配置 | High-side and low-side |
输入电源电压 | -1 V 25 V |
隔离型 | SOI (Silicon On Insulator) ; Functional level shift |
输出电流(吸收) | 4.6 A |
输出电流(源) | 2.3 A |
关闭传播延迟 | 350 ns |
打开传播延迟 | 350 ns |
VBS UVLO(关闭) | 11.3 V |
VBS UVLO(开) | 12.2 V |
VCC UVLO(关闭) | 11.3 V |
VCC UVLO(开) | 12.2 V |
电压等级 | 1200 V |
热点资讯
周度热榜
月度热榜
年度热榜
推荐商品
猜你想看
版权声明:
部分文章信息来源于网络以及网友投稿,本网站只负责对文章进行整理、排版、编辑,是出于传递更多信息之目的,并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性,如本站文章和转稿涉及版权等问题,请作者及时联系本站,我们会尽快处理。
文章标签:
芯片
热点资讯