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IMBG120R220M1H产品规格_功能特性_现货专卖
IC先生 网络 46 2023-12-08 17:43:40
是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 220 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。它采用改良版1200V SMD封装，将CoolSiC技术的低功耗特性与.XT互联技术相结合，可在电机驱动、充电模块以及工业电源等应用中实现最高效率和被动制冷。
IMBG120R220M1H的特性
- 极低的开关损耗
- 短路能力：3 µs
- dV/dt完全可控
- 栅极阈值电压典型值：VGS(th) = 4.5 V
- 出色的抗寄生导通能力，能够实现0V关断
- 牢固的体二极管，可用于硬开关
- .XT互联技术，实现一流的热性能
- 封装爬电距离和电气间隙 > 6.1 mm
- Sense引脚，优化了开关性能
IMBG120R220M1H优势
- 提高效率
- 实现更高的工作频率
- 增加功率密度
- 减少冷却工作
- 降低系统复杂程度和成本
- SMD封装，无需增设散热器，即可实现自然对流冷却，因此可直接集成到PCB中
IMBG120R220M1H规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 独联体 | 312 pF |
| 输出电容 | 14 pF |
| ID(@25°C) | 13 A |
| 越来越多的 | SMD |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| ptt (@ TA=25°C) | 83 W |
| 包 | TO-263-7 |
| 销数 | 7 Pins |
| 极性 | N |
| 路上 | 9.4 nC |
| Qgd | 2 nC |
| 资格 | Industrial |
| RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 220 mΩ |
| RthJA | 62 K/W |
| RthJC | 1.8 K/W |
| Tj | 175 °C |
| VDS公司 | 1200 V |
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