IPTC011N08NM5前往购买
IPTC011N08NM5产品规格_产品特性_原装原厂
IC先生 网络 75 2023-12-08 17:57:01
IPTC011N08NM5 属于TOLT 封装 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 系列：采用 TO-Leaded 顶部散热封装，热性能优越。这种创新型封装结合了 OptiMOS™ 5 技术的主要特征，使英飞凌的 80 V 产品成为同类产品中的佼佼者 >300 A 而且可以为高功率密度设计提供高额定电流。
依托顶部散热设计，漏极暴露在封装表面，因此可将 95% 的热量传导至散热片。相较于 TOLL 封装，TOLT 封装的 RthJA 降低了约 20%，RthJC 改善近 50%。而采用底部散热的封装类型，如 TOLL 或 D2PAK，热量则需要通过 PCB 经散热片散热，从而会导致高功率损耗。
TOLT 封装型 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 主要用于 电动工具, 轻型电动车 和 电池管理系统。
IPTC011N08NM5的特性
- 低 RDS(on)
- 高额定电流
- 顶部散热
- 负引脚本体高差
- 无锡散热焊盘
IPTC011N08NM5优势
- 系统效率高，有助于延长电池寿命
- 高功率密度
- 出色的热性能
- 节省散热系统
- 最大限度降低至散热片的热阻
IPTC011N08NM5规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 电池电压 | 36-48 V |
| ID(@25°C) | 408 A |
| IDpuls | 1632 A |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 375 W |
| 包 | TOLT (HDSOP-16) |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 178 nC |
| RDS (on) (@10V) | 1.1 mΩ |
| VDS公司 | 80 V |
| vg (th) | 3 V 2.2 V 3.8 V |
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