2ED2104S06F前往购买
2ED2104S06F产品参数_功能图_原装供应
IC先生 网络 49 2023-12-08 15:00:46
650 v高速半桥栅驱动器,DSO-8封装中典型的029源电流和07年的吸收电流,用于驱动功率mosfet和igbt基于我们的soi技术,2 ed2104s06f对VS引脚的负瞬态电压具有优异的坚固性和抗扰性由于器件中没有寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁存器。
2ED2104S06F的特性
2ED2104S06F优势
2ED2104S06F规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 渠道 | 2 |
| 配置 | Half Bridge |
| 输入电源电压 | 10 V 20 V |
| 隔离型 | Functional levelshift |
| 输出电流(吸收) | 0.7 A |
| 输出电流(源) | 0.29 A |
| 关闭传播延迟 | 90 ns |
| 打开传播延迟 | 90 ns |
| VBS UVLO(开) | 8.9 V |
| VBS UVLO(关闭) | 8 V |
| VCC UVLO(开) | 8.9 V |
| VCC UVLO(关闭) | 8 V |
| 电压等级 | 650 V |
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