2ED1323S12P规格参数_功能特性

2ED1323S12P规格参数_功能特性_原装现货

作者： IC先生来源：网络浏览量：49 时间：2023-12-08 14:49:14

2ED1323S12P即EiceDRIVER™ 1200 V高压侧/低压侧栅极驱动器IC，具有2.3 A拉电流和2.3 A灌电流，采用DSO-20（300mils）封装，具有足够的爬电距离和电气间隙，适用于1200 V SiC MOSFET和IGBT功率器件。2ED1323S12P封装在足够爬电距离/电气间隙的DSO-20中，具有有源米勒钳位（AMC）和短路钳位（SCC）功能，实现出色的开关性能。该IC采用SOI技术，针对瞬态电压，具有出色的坚固性。由于该器件没有寄生晶闸管结构，该设计在整个工作温度和电压范围内都非常可靠，可防止寄生闩锁效应。

2ED1323S12P

2ED1323S12P的特性

独特的英飞凌薄膜绝缘体上硅（SOI）技术
浮地通道实现自举工作
最大自举电压（VB节点）：+1225 V
工作电压（VS节点）：+ 1200 V
在700 ns重复脉冲下，对负VS瞬态电压具有100V的抵抗能力
峰值输出拉电流/灌电流：2.3 A / 4.6 A
集成超快速的过流保护（OCP）功能
高达±5%的参考阈值精度：
从检测到过电流到关断输出：不到1 us
集成有源米勒钳位（AMC）功能，具有2 A灌电流
集成短路钳位（SCC）功能
超快、低电阻集成自举二极管
具有使能、故障和可编程故障清除RFE输入接口
在VS引脚上，逻辑工作范围可达–8V
每个通道都有独立的欠压锁定（UVLO）
VCC电源电压：25 V（最大值）
独立的逻辑地（VSS）和输出接地（COM）
电气间隙/爬电距离：大于5mm
2 kV HBM ESD能力

2ED1323S12P

2ED1323S12P优势

1200 V大电流 (2.3 A/4.6 A) ，小尺寸封装中集成了自举二极管，从而降低了BOM成本并缩小了PCB空间，降低了成本，简化了设计。
经过优化的栅极驱动器解决方案，带来了设计灵活性，适用于基于1200 V IGBT/SiC的PIM、分立式开关。
能够抵御100 V负VS瞬态电压，提高了器件的可靠性/稳定性。
降低50%的电平转换损耗，可实现更低的工作温度和更高的可靠性。
有源米勒钳位功能为整个功率器件的稳定开关性能提供了支持，特别是对于低阈值器件：碳化硅（SiC）等等。
短路钳位功能可防止短路情况下栅极电压升高。
防止闩锁效应，提高了可靠性。
集成了快速准确的过流保护功能，与分立式运算放大器解决方案相比，节省了空间和成本，并保护了开关。
欠压锁定功能可在低电源电压下提供保护。
DSO-20封装爬电距离和电气间隙更宽

2ED1323S12P规格参数

产品属性	属性值
渠道	2
配置	High-side and low-side
输入电源电压	-1 V 25 V
隔离型	SOI (Silicon On Insulator) ; Functional level shift
输出电流(吸收)	2.3 A
输出电流(源)	2.3 A
关闭传播延迟	350 ns
打开传播延迟	350 ns
VBS UVLO(关闭)	11.3 V
VBS UVLO(开)	12.2 V
VCC UVLO(关闭)	11.3 V
VCC UVLO(开)	12.2 V
电压等级	1200 V