IPN60R360PFD7S前往购买
IPN60R360PFD7S产品规格_产品特性_原装现货
IC先生 网络 75 2023-12-08 17:05:10
600V CoolMOS™ PFD7 超结 MOSFET (IPN60R360PFD7S) 补充了CoolMOS™ 7，可用于消费类应用。采用 SOT-223 封装的 IPN60R360PFD7S，其 RDS(on) 为 360mOhm，降低了开关损耗。600V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET 配置了快速体二极管，可确保器件坚固耐用，进而为客户减少物料清单（BOM）。英飞凌先进的 SMD 封装进一步减少了 PCB 空间，可促进生产。
该产品系列旨在实现超高功率密度和高效率设计。这些产品主要适用于超高密度充电器、适配器和低功率电机驱动器。CoolMOS™与 P7 和 CE MOSFET 技术相比， 600V CoolMOS™ PFD7 的轻载和满载效率提高，功率密度提高了 1.8W / inch3。
IPN60R360PFD7S的特性
- FOM RDS(on) x Eoss 非常低
- 集成坚固耐用的快速体二极管
- 高达 2kV 的静电放电保护
- 广泛的 RDS(on) 数值
- 出色的换向强度
- 低 EMI
- 广泛的产品封装组合
IPN60R360PFD7S优势
- 开关损耗非常小
- 与新型 CoolMOS™ 充电器技术相比，提高了功率密度
- 与 CoolMOS™ CE 技术相比，在低功率驱动器应用中效率更高并热性能更加出色
- 降低了物料清单成本，易于生产
- 坚固耐用
- 可轻松选择合适的部件进行设计微调
IPN60R360PFD7S规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID | 10 A |
| ID(@25°C) | 10 A |
| IDpuls | 24 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 工作温度 | -40 °C 150 °C |
| Ptot | 7 W |
| 包 | SOT-223 |
| 销数 | 3 Pins |
| 极性 | N |
| 路上 | 12.7 nC |
| RDS(上) | 360 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 360 mΩ |
| 特殊功能 | price/performance |
| VDS公司 | 600 V |
| vg (th) | 4 V 3.5 V 4.5 V |
热点资讯
推荐商品
猜你想看
版权声明：
部分文章信息来源于网络以及网友投稿，本网站只负责对文章进行整理、排版、编辑，是出于传递更多信息之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性，如本站文章和转稿涉及版权等问题，请作者及时联系本站，我们会尽快处理。
文章标签:
芯片
热点资讯
