IPN80R900P7中文规格_功能特性_现货专卖
IC先生 网络 62 2023-12-08 11:04:27
800V CoolMOS™ P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用,可完全满足性能,易用性和性价比等市场需求。它主要侧重于反激式应用,包括适配器和充电器,LED驱动器,音频SMPS,辅助和工业电源。
与其前代产品相比,这一新产品系列可提供高达0.6%的效率增益;与典型反激式应用中测试的其他竞争对手产品想相比,MOSFET温度降低2°C至8°C。它还通过降低开关损耗和改善DPAK R DS(on)产品,实现更高功率密度的设计。总而言之,这有助于客户节省物料成本,减少组装工作量。
IPN80R900P7的特性
- 同类中较为出色的 FOM R DS(on) * E oss; 降低 Qg, C iss 和 C oss
- 同类中较为出色的 DPAK R DS(on) 280mΩ
- 同类中较为出色的 V (GS)th,3V,和最小 V (Gs)th 变动 ± 0.5V
- 集成齐纳二极管 ESD 保护,最高可达 2 级(HBM)
- 出色的质量和可靠性
- 完全优化的组合
IPN80R900P7优势
- 相比于 CoolMOS™ C3,它具有 0.1% 至 0.6% 效率增益并使 MOSFET 温度降低 2°C 到 8°C
- 可实现更高功率密度设计、节约更多 BOM 以及更低的装配成本
- 易于驱动和设计
- 通过减少ESD相关故障,提高产量
- 减少生产问题,减少外部退货
- 易于选择合适的零件来优化设计
IPN80R900P7规格参数
产品属性 | 属性值 |
---|---|
预算价格€/ 1000 | 0.41 |
ID(@25°C) | 6 A |
ID | 6 A |
IDpuls | 14 A |
越来越多的 | SMT |
工作温度 | -55 °C 150 °C |
Ptot | 7 W |
包 | SOT-223 |
销数 | 3 Pins |
极性 | N |
QG(类型@10V) | 15 nC |
路上 | 15 nC |
Qgd | 6 nC |
RDS (on) (@10V) | 900 mΩ |
RDS(上) | 900 mΩ |
RthJA | 160 K/W |
特殊功能 | price/performance |
VDS公司 | 800 V |
vg (th) | 3 V 2.5 V 3.5 V |
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