IMT65R072M1H前往购买
IMT65R072M1H产品规格_产品特点_现货出售
IC先生 网络 95 2023-12-08 14:11:55
CoolSIC™MOSFET650 V, 72Ω人数封装利用英飞凌SiC技术的优势,实现更高的密度设计和更高的开关频率操作人数的小尺寸和低寄生允许高效和有效地利用电路板空间,以及在更高频率下驱动MOSFET,达到更高的功率密度CoolSIC™MOSFET 650 V, 72Ω在人数封装产品中,还可以为coolmos™和coolgan™提供,使其成为各种系统的有吸引力的一站式选择与D²PAK相比,降低了热阻抗,加上创新的XT互连,使72Ω产品适用于高功率到中功率系统它非常适合高功率到中功率系统中新兴的图腾柱PFC拓扑结构它还可以在直流-直流和交直流级中实现高效率和高密度它还成功地应用于交错拓扑中,以解决大功率系统中的高效率目标。
IMT65R072M1H的特性
IMT65R072M1H优势
IMT65R072M1H规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID(@25°C) | 36 A |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| 极性 | N |
| 资格 | Industrial |
| RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 72 mΩ |
| VDS公司 | 650 V |
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