BSZ065N06LS5前往购买
BSZ065N06LS5产品规格_产品特性_原装原厂
IC先生 网络 44 2023-12-08 11:28:27
英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接由微控制器驱动。
BSZ065N06LS5的特性
- 小型封装中的低R Ds(on)
- 低栅极电荷
- 降低输出电荷
- 逻辑电平兼容
BSZ065N06LS5优势
- 更高的功率密度设计
- 更高的开关频率
- 5V 供电可用时即可减少器件数量
- 微控制器直接驱动（慢开关）
- 降低系统成本
BSZ065N06LS5规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.42 |
| 独联体 | 1400 pF |
| 输出电容 | 300 pF |
| ID(@25°C) | 65 A |
| IDpuls | 260 A |
| 越来越多的 | SMD |
| 工作温度 | -55 °C 150 °C |
| Ptot | 46 W |
| 包 | PQFN 3.3 x 3.3 |
| 销数 | 8 Pins |
| 极性 | N |
| QG (type @4.5V) | 10 nC |
| Qgd | 3.3 nC |
| RDS (on) (@4.5V LL) | 9.4 mΩ |
| RDS (on) (@4.5V) | 9.4 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 6.5 mΩ |
| 仅仅 | 2.7 K/W |
| RthJA | 62 K/W |
| RthJC | 2.7 K/W |
| VDS公司 | 60 V |
| vg (th) | 1.7 V 1.1 V 2.3 V |
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