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IPA126N10NM3S产品参数_产品功能_现货出售

IC先生 网络 104 2023-12-08 17:31:33

英飞凌的OptiMOS™3功率MOSFET 100 v旨在满足提高系统效率的要求,同时降低系统成本在- 220 FullPAK封装组合扩展中,该MOSFET具有126莫姆的低导通电阻,适用于电视电源,桌面,适配器和游戏应用随着功率密度的提高和效率的提高,IPA126N10NM3S MOSFET是同步整流的完美解决方案。


IPA126N10NM3S


IPA126N10NM3S的特性

  • 低电压超调
  • 低导通电阻(RDS(on))
  • 不需要通常用于TO-220封装的电气隔离材料

  • IPA126N10NM3S优势

  • 需要更少的并行
  • 产生的热量不会转移到印刷电路板上
  • 产生的热量少
  • 适合TO-220尺寸

  • IPA126N10NM3S规格参数

    产品属性属性值
    预算价格€/ 10000.72
    ID(@25°C) 39 A
    Id (@ tc =25℃) 39 A
    IDpuls 156 A
    工作温度 -55 °C   175 °C
    Ptot 33 W
    TO-220 FullPAK
    极性N
    QG(类型@10V)26 nC
    RDS (on) (@10V) 12.6 mΩ
    VDS公司 100 V
    vg (th) 2.7 V   2 V   3.5 V
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