ISC010N06NM5规格参数_功能图_原装供应
IC先生 网络 56 2023-12-08 10:15:30
英飞凌 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 60 V 采用 SuperSO8 封装 (ISC010N06NM5),具备低导通电阻 RDS(on)(25˚C 和 175˚C 下)和高连续电流(可达 330 A)。英飞凌 OptiMOS™ 3 和 5 产品系列新增 SuperSO8 封装型 OptiMOS™ MOSFET,器件功率密度和稳健性更高,可降低系统成本并增强性能。低反向恢复电荷 (Qrr) 将大幅降低电压过冲,因此无需使用吸收电路,进而可减少工程成本和工作量,提高系统可靠性。
ISC010N06NM5的特性
- 极低的 RDS(on)(25˚C 下)
- 低 RthJC
- 低反向恢复电荷 (Qrr)
- 工作温度可高达 175°C
ISC010N06NM5优势
- 低导通损耗、高功率密度和效率
- 并联更少,可降低系统成本
- 低电压过冲
- 优异的热性能
ISC010N06NM5规格参数
产品属性 | 属性值 |
---|---|
电池电压 | 24-36 V |
预算价格€/ 1000 | 1.96 |
ID | 330 A |
ID(@25°C) | 330 A |
IDpuls | 1320 A |
越来越多的 | SMT |
工作温度 | -55 °C 175 °C |
Ptot | 214 W |
包 | SuperSO8 5x6 |
销数 | 8 Pins |
极性 | N |
路上 | 115 nC |
QG(类型@10V) | 115 nC |
RDS(上) | 1.05 mΩ |
RDS (on) (@10V) | 1.05 mΩ |
VDS公司 | 60 V |
vg (th) | 2.8 V 2.1 V 3.3 V |
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