IPD050N10N5前往购买
IPD050N10N5中文规格_功能特性_原装原厂
IC先生 网络 105 2023-12-09 13:31:43
英飞凌的OptiMOS™5 100V功率MOSFET IPD050N10N5专为通信模块中的同步整流而设计，包括Or-ing，hotswap和电池保护以及服务器电源应用。与同类器件相比，该器件的R DS（on）降低22％，出色的FOM带来的贡献便是低导通电阻，它提供了高水平的功率密度和效率。
IPD050N10N5的特性
- 针对同步整流进行优化
- 非常适合高开关频率
- 输出电容提升，高达 44%
- R DS(on) 与前一代相比降低高达 43%
IPD050N10N5优势
- 高系统效率
- 降低开关和通态损耗
- 减少并联
- 增加功率密度
- 低电压过冲
IPD050N10N5规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.97 |
| ID(@25°C) | 80 A |
| IDpuls | 320 A |
| 越来越多的 | SMD |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 150 W |
| 包 | DPAK (TO-252) |
| 销数 | 3 Pins |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 51 nC |
| Qgd | 10 nC |
| RDS (on) (@10V) | 5 mΩ |
| 仅仅 | 0.6 K/W |
| RthJA | 75 K/W |
| RthJC | 1 K/W |
| VDS公司 | 100 V |
| vg (th) | 3 V 2.2 V 3.8 V |
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