可控硅调压控制器电路图、工作原理科普

可控硅，也称金属-半导体-金属晶体管，它由四层PNPN结构的半导体材料构成，具有放大、开关、整流和控制等多种功效，可控硅可以直接用来作为调压器，本文要介绍的就是可控硅调压控制器这种元器件，一起来看看它的电路图、原理介绍。

一、可控硅调压控制器电路图

可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成，其电路原理图如下图所示，从图中可知，二极管D1—D4组成桥式整流电路，双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路。

当调压器接上市电后，220V交流电通过负载电阻RL经二极管D1—D4整流，在可控硅SCR的A、K两端形成一个脉动直流电压，该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源，在交流电的正半周时，整流电压通过R4、W1对电容C充电。

当充电电压Uc达到单结晶体管T1管的峰值电压Up时，单结晶体管T1由截止变为导通，于是电容C通过T1管的e、b1结和R2迅速放电，结果在R2上获得一个尖脉冲，这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极， 使可控硅导通。

可控硅导通后的管压降很低，一般小于1V，所以张弛振荡器停止工作，当交流电通过零点时，可控硅自关断，当交流电在负半周时，电容C又从新充电，如此周而复始，便可调整负载RL上的功率了。

调压器的调节电位器选用阻值为470KΩ的WH114-1型合成碳膜电位器，这种电位器可以直接焊在电路板上，电阻除R1要用功率为1W的金属膜电阻外，其余的都用功率为1/8W的碳膜电阻。

D1—D4选用反向击穿电压大于300V、最大整流电流大于0.3A的硅整流二极管，如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等，SCR选用正向与反向电压大于300V、额定平均电流大于1A的可控硅整流器件，如国产3CT系列。

二、可控硅调压控制器的工作原理

可控硅调压控制器的工作原理，是基于可控硅元件的特性，即只有在控制脉冲到达时才会导通电流，从而实现对负载电压的精确调节控制，其具体工作原理如下：

1、可控硅的工作原理

可控硅有一个由PNPN结构构成的反向阻挡层，当将其正向偏置时，PNPN结构中的P区和N区形成正向电流，N区和P区结构组成的反向阻挡层不能导通。只有当触发信号到来时，反向阻挡层才能被突破，从而开启电流通路，即可按需要控制交流电的导通角度，实现对负载电压的调节控制。

2、可控硅调压控制器的原理

可控硅调压控制器主要由一个可控硅元件、触发电路、桥式整流电路以及滤波电路等组成，在交流电输入后，先经过桥式整流电路，变为直流电，并经过滤波电路去除直流电中的杂波。

随后，可控硅通过触发电路开启，开始导通电流，触发电路可以根据需要控制触发信号的到达时间和频率，从而可以实现对负载电压的调节控制，保证负载电压的稳定性和可靠性。

3、调节控制的流程

可控硅调压控制器在负载电压下降时，通过增加可控硅的导通角度，增大整流电路的直流电压，提高负载电压，从而实现对负载电压的调节控制，当负载电压过高时，则减小可控硅的导通角度，降低整流电路的直流电压，从而降低负载电压，并实现电压的稳定控制。

以上就是可控硅调压控制器电路图、工作原理介绍，可控硅调压控制器采用可控硅的特性，通过调整触发信号的到达时间和频率，实现对负载电压的高效调节控制，在现代工业和民用电器中已得到广泛的应用。

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