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STB18NM80功能参数_功能特性_原装供应

IC先生 网络 60 2023-12-16 08:51:09

概述

这些n沟道功率mosfet采用意法半导体革命性的MDmesh™技术开发,该技术将多重漏极工艺与公司的PowerMESH™水平布局相关联。

STB18NM80符号图

STB18NM80

STB18NM80功能参数

  • 100%雪崩测试
  • 低输入电容和栅极电荷
  • 低栅极输入电阻

STB18NM80引脚图

STB18NM80

STB18NM80 3D图

STB18NM80

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