STAC4932F1MR前往购买
STAC4932F1MR中文参数_产品特性_现货出售
IC先生 网络 78 2023-12-20 15:59:35
概述
STAC4932F1MR是一款n沟道MOS场效应射频功率晶体管。
STAC4932F1MR受益于最新一代环保设计的包装，可针对循环高湿度操作和恶劣存储条件进行加固。
本装置含有氧化铍(BeO)，如果吸入或摄入是危险的。
STAC4932F1MR符号图
STAC4932F1MR功能参数
- Improved ruggedness V(BR)DSS > 200 V
- 负载失配65:1所有相位@ 350w - 50v - 123 MHz
- POUT = 450w型。
- 符合2002/95/EC欧洲指令
- 防潮包装，专门设计在极端环境下操作
- 焊接前的干燥建议:
- 125℃下48小时
- 完成:
- Sn96.5 / Ag3 / Cu0.5焊料
- Base flatness < 0.2 mm
- Gold content < 0.1%
- Minimum solder thickness > 2 μm
STAC4932F1MR引脚图
STAC4932F1MR 3D图
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