FET驱动器L6569AD013TR设备结构功能介绍产品信息
L6569AD013TR型号设备是一个内置振荡器的高压半桥驱动器,振荡器的频率可以使用外部电阻器和电容器进行编程,该器件的内部电路允许它也由外部逻辑信号驱动。
输出驱动器设计用于驱动外部n沟道功率MOSFET和IGBT,内部日志ic确保死区时间[典型值1.25μs],以避免电源设备的交叉传导,有两种版本可供选择:L6569和L6569A,低压栅极驱动器启动序列中的差分器。
L6569具有内部自举结构,使用户能够避免在模拟设备中,执行自举电容器充电所需的外部二极管,为Upper External Mosfet提供适当的驱动,该操作是通过一种独特的结构实现的,该结构使用由内部电荷泵驱动的高压横向DMOS,参见下面的框图,并以50纳秒的延迟与低端栅极驱动器(LVG引脚)同步,实际用作同步整流器。
在L6569A中,遵循不同的启动程序,参见下列波形图,下部外部Mosfet被驱动为OFF,直到VS达到接通阈值,然后TC时间间隔再次如上所述开始。作为用于实现自举操作的LDMOS,如果不能确保零电压开关操作,然后向BOOT引脚施加高电压,则流入BOOT引脚(引脚8)的“双向”开关电流可能会对LDMOS本身造成过度应力。例如,当负载被移除并且高电阻值与外部PowerMos的栅极串联时,可能会出现这种情况。
为了便于对设备进行评估,在侧面安装了一块专用于灯镇流器应用的基板,该应用程序被设计为通过大容量电容器处的倍压器配置与110+/-20%V和220+/-20%V主电源一起工作。镇流器电感和工作频率是专门为18W Sylvania De luxe T/E型灯泡设计的,启动时用于预热的PTC和两个背靠背同步二极管,使该应用易于实现,运行安全。
该设备可以在“关闭”状态下驱动,使CF引脚接近GND,但必须注意:当CF接地时,高侧驱动器断开,而低侧驱动器接通,振荡电容器CF的强制放电不得短于1us,一种简单的方法是通过电阻路径限制电流放电,使R·CF>1μs。
以上就是L6569AD013TR型号FET驱动器的产品信息介绍,本网站会持续更新其它型号元器件的产品信息,欢迎关注我们。