TS12A4514DBVR模拟开关芯片产品规格参数应用领域

TS12A4514DBVR是一款模拟开关芯片，TS12A4514/TS12A4515是单刀/单掷（SPST）、低压、单电源CMOS模拟开关，具有非常低的开关导通状态电阻。TS12A4514处于常开状态（NO），TS12A4515是常闭（NC）。

这些CMOS开关可以在2V和12V之间的单一电源下连续工作，每个开关都可以处理轨对轨模拟信号，关闭泄漏电流最大值在25°C时仅为1 nA，在85°C时为10 nA，所有数字输入均具有0.8V至2.4V的逻辑阈值，确保使用5V时TTL/CMOS逻辑兼容性供给。

TS12A4514DBVR结构是大多数CMOS模拟开关的典型结构，除了它们只有两个电源引脚：V+和GND，V+和GND驱动内部CMOS开关并设置其模拟电压限制。反向ESD保护二极管内部连接在每个模拟信号引脚与V+和GND之间，如果任何模拟信号超过V+或GND，其中一个二极管导通。

实际上，所有的模拟泄漏电流都来自ESD二极管到V+或GND，尽管ESD二极管在给定的信号引脚是相同的，因此，相当好的平衡，它们被反向偏置不同。

每个都是由V+或GND和模拟信号偏置，这意味着它们的泄漏将随着信号的变化而变化，这个到V+和GND引脚的两个二极管泄漏的差异，构成模拟信号路径泄漏电流，所有模拟泄漏电流在每个引脚和其中一个电源端子之间流动，而不是流向另一个开关航空站这就是为什么给定开关的两侧可以显示相同或相反极性的漏电流。

引脚图

测试电路图

关断隔离和接通损耗

TS12A4514DBVR模拟开关芯片的模拟信号路径和V+或GND之间没有连接，V+和GND也为内部逻辑和逻辑电平转换器供电，逻辑级翻译器转换逻辑电平，切换到V+和GND信号以驱动模拟信号门。

当V+为5V时，逻辑电平阈值与CMOS/TTL兼容，当V+升高时，电平阈值略有增加，当V+达到12 V时，电平阈值约为3 V，高于TTL指定的高电平最低2.8伏，但仍与CMOS输出兼容。

在50-Ω 系统，信号响应在高达250 MHz时相当平坦，在20MHz以上，导通响应具有高度依赖于布局的几个小峰值，off状态开关的作用就像电容器，通过更高的频率衰减较小。

TS12A4514DBVR模拟开关芯片在10 MHz时，关断隔离约为-45 dB-Ω 系统，减少（约20dB每十年），较高的电路阻抗也会使关断隔离度降低，关闭隔离比裸IC插座的隔离高出约3dB，并且完全是由于电容耦合。

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