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ISO5852SQDWRQ1型号驱动器功能规格参数及应用领域

小编-niki IC先生 351 2023-04-12 17:22:40

ISO5852SQDWRQ1器件是一款用于IGBT和MOSFET的5.7 kVRMS增强型隔离栅极驱动器,具有分离输出(OUTH 和 OUTL),以及2.5A的拉电流能力和5A的灌电流能力,输入端由2.25V至5.5V的单电源供电运行。

输出端允许的电源范围为 15V 至 30V,两个互补 CMOS 输入控制栅极驱动器的输出状态,76ns 的短暂 传播时间保证了对于输出级的精确控制,该器件可以应用于混合动力汽车 、电动车电源模块 、工业电机控制驱动 、工业电源、太阳能逆变器、感应加热。

栅极驱动器是否准备就绪待运行由两个欠压锁定电路控制,这两个电路会监视输入端和输出端的电源,如果任意一 端电源不足,RDY 输出会变为低电平,否则该输出为高电平。 ISO5852S-Q1采用16引脚小外形尺寸集成电路封装,此器件的额定工作环境温度范围为-40°C至+125° C。

产品图片

ISO5852SQDWRQ1

引脚功能图


ISO5852SQDWRQ1引脚功能


功能框图


ISO5852SQDWRQ1功能框图


ISO5852SQDWRQ1是IGBT和MOSFET的隔离栅极驱动器,输入CMOS逻辑和输出功率级被二氧化硅电容隔离,输入侧的IO电路与微控制器接口,由栅极驱动控制和RESET组成输入、就绪和故障报警输出。

功率级由功率晶体管组成,用于提供2.5A的上拉电流和5-A的下拉电流,以驱动外部功率晶体管的电容负载,如以及DESAT检测电路,用于在短路事件下监测IGBT集电极-发射极过电压。这个电容隔离核心由传输电路组成,用于将信号耦合到电容隔离屏障上,以及接收电路,用于将所得到的低摆幅信号转换为CMOS电平。

ISO5852SQDWRQ1还包含欠压锁定电路,以防止对外部IGBT的栅极驱动不足,以及有源输出下拉确保在没有输出电源电压的情况下,将栅极驱动器输出保持在低电平的特性

产品应用图


ISO5852SQDWRQ1应用图


电流缓冲器


电流缓冲器


对于单极电源的操作,通常VCC2相对于GND2连接到15-V,VEE2为连接到GND2,在这种使用情况下,IGBT可能由于IGBT Miller的额外电荷而导通,由IGBT集电极上的高电压转换速率转变引起的电容。

为了防止IGBT导通CLAMP引脚连接到IGBT栅极,米勒电流通过低阻抗CLAMP晶体管下沉,Miller CLAMP专为高达2A的Miller电流而设计,当IGBT关断并且栅极电压转换到2V以下时,CLAMP电流输出被激活。

ISO5852S-Q1器件是一种用于功率半导体器件的隔离栅极驱动器,如IGBT和MOSFET,它适用于电机控制、工业逆变器和开关模式等应用电源,在这些应用中,需要复杂的PWM控制信号来转动功率设备开启和关闭,在系统级别上最终可以确定,例如电机或逆变器的输出电压、频率和相位

以上就是ISO5852SQDWRQ1型号驱动器的产品介绍,本网站有多种型号的元器件在售,如果您有采购需求,可以搜索您需要的型号,或者联系客服,欢迎选购下单!

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