IRF820场效应管管脚图_规格参数_代换型号

IRF820是一款具有许多特性的N沟道MOSFET，该晶体管采用TO-220 封装，能够驱动高达500V的负载电压或漏源电压。

IRF820具有500V的漏源电压限制，这是非常有用的，并且可以处理的最大连续漏极电流/负载电流电流为2.5A，最大脉冲电流为10A，最大功耗为80W。

IRF820晶体管具有许多优良特性，例如快速开关、低RDS(on)、高VDSS等。所以它主要设计用于各种高速应用、SMPS、DC~AC转换、UPS、电机驱动电路、继电器驱动器等。

引脚配置

IRF820是一款N沟MOSFET晶体管，其引脚的配置如下：

1. 引脚1和3是栅极和源极引脚，用于控制MOSFET的导通与截止；
2. 引脚2是漏极引脚，用于连接MOSFET的负载端。

可以看出，IRF820的主要引脚是源极、栅极和漏极，其引脚编号也一目了然，方便用户进行接线连接。在接线连接时，需要注意各引脚的连接方式和电气要求，以确保器件的正常使用和安全性。

规格参数

• 封装类型：TO-220AB
• 晶体管类型：N沟道
• 从漏极到源极施加的最大电压：500V
• 最大栅源电压应为：±20V
• 最大持续漏极电流为：2.5A
• 最大脉冲漏极电流为：10A
• 最大功耗为：80W
• 导通状态下的最大漏源电阻 (RDS on)：3.0Ω
• 最高存储和工作温度应为：-55至+150摄氏度

等效和替代晶体管型号包括IRF821、IRF822、IRF823、BUZ74、IRF420(TO-204AA封装)、IRF421(TO-204AA封装)、IRF422(TO-204AA封装)、IRF423(TO-204AA封装)、2SK1153、2SK1154、 2SK1862、2SK1863、IRF820FI、IRF820S、IRFI820G、IRFS820、IRFS821、RFP3N45、RFP3N50、BUK444-500B、BUK454-500B。

功能特性

IRF820晶体管具有许多功能，主要特性表现为：

• 强大的高压能力；MOSFET坚固耐用，可用于高压应用，可驱动高达500V的负载。
• 纳秒级的开关速度；具有纳秒级的开关速度，这使其成为需要超高速开关应用的理想器件。
• 简单的驱动要求：具有简单的驱动要求，这意味着它可以很容易地在低电压下运行。

其它特性包括重复雪崩额定值、动态dv/dt额定值、易于并联等。

主要应用

IRF820晶体管的主要用途是高速应用、UPS、电机驱动电路、SMPS、继电器驱动器，但它也可用于需要高压负载驱动的应用以及许多其它应用属于其评级。一些比较常见的应用包括：

• 开关模式电源
• 不间断电源
• 直流到交流转换器
• 电机驱动应用

安全操作指南/绝对最大额定值：

1. 建议始终使用MOSFET的绝对最大额定值的20%，以其满额定值使用设备可能会导致损坏、缩短使用寿命并且无法提供稳定的性能。
2. 最大连续漏极电流为2.5A，因此不要驱动超过2A的负载。
3. 最大漏源电压为500V，因此不要驱动负载或超过400V。
4. 必须使用合适的散热器。
5. 工作或储存温度应为-55°C至+150°C。

栅极电荷与栅极到源极电压

典型源漏二极管正向电压

栅极电荷测试电路

封装设计参数

总结

综上所述，IRF820是一款N沟MOSFET晶体管，适用于直流至高频的开关应用。它具有低导通电阻、高速开关、低输入电容、超强的耐压能力等特点，适用于电源开关、电动工具、制动器、闪光灯等高压、高电流、高速和高功率的开关控制应用。