BS170场效应管规格参数_替代型号_应用特点

BS170是一款能够切换60V的N沟道增强型MOSFET，它具有500mA （连续）和1200 mA（脉冲）的最大漏极电流额定值、1.2欧姆（典型值）的漏源电阻和最大额定功率耗散830毫瓦。BS170由于其相似的特性，经常被用来代替2N7000。

BS170栅极阈值额定电压为3V（VDS=VGS，ID=1mA）。因此，BS170是逻辑电平MOSFET。此MOSFET非常适合小灯、继电器和电机等低功率开关应用。

BS170场效应管采用TO-92封装，其SMD版本MBBF170采用SOT-23 封装。P沟道BS520P是它的互补型号。

引脚配置

与任何其它MOSFET一样，BS170引脚排列具有三个引脚：从左到右分别为漏极、栅极和源极（扁平侧，引线指向下方）。

• Gate：控制MOSFET，用于打开和关闭它。
• Drain：电流流经漏极，通常连接到负载（P沟道）。
• Source：电流通过发射极从晶体管流出，通常接地（P沟道）。

注意：ONSEMI于2021年12月发布了新版BS170。它的Pinout不同于所有其它制造商的设计：Gate和Source引脚在这个新版本中被交换了。ONSEMI的BS170的pinout如下图所示：

规格参数

下面以表格形式给出了BS170技术规格参数。

特征	属性值
类型	N沟道
封装	TO-92
漏源电压	60伏
栅源电压	±20伏
栅极阈值电压	最大3V
最大漏极电流 – 连续	500毫安
最大漏极电流脉冲	1200毫安
最大结温	-55°C至150°C
最大RDS(ON) (VGS=10V, ID=200mA)	5欧姆
最大功耗	830毫瓦

功能特性

• 压控小信号开关。
• BS170是坚固可靠的MOSFET。
• 具有高饱和电流能力。
• 该器件不含铅和卤素。

BS170互补晶体管型号是BS520P P沟道MOSFET；等效和替代的晶体管型号包括2N7000、2N7002/NDS7002A(贴片版)、IRFZ44、IRF540N、IRF3205。

主要应用

• 低于500mA（连续）和1200mA脉冲的开关负载。
• 控制小型伺服电机。
• 作为功率MOSFET栅极驱动器
• 低功率开关应用：小型灯、电机和继电器。
• 在LED闪光器和调光器中。

传输特性

栅极电荷特性

最大安全操作区域

瞬态热响应曲线

封装设计参数

下面给出的是采用T0-92封装的BS170二维模型，其中显示了所有尺寸，如高度、宽度和长度，如下图所示：

常见问题

BS170是什么类型的MOSFET？

答：BS170是N沟道增强型MOSFET，它非常适用于小灯、继电器和电机等低功率开关应用，主要设计用于需要快速切换速度和效率的条件下工作。它们可用于电源和转换器等应用。

BS170是功率MOSFET吗？

答：BS170不是功率MOSFET，因为它具有低电流/电压特性和TO-92封装。它相当于一个开关晶体管，但额定功率稍高。像FQP30N06L这样的MOSFET被称为功率MOSFET。

BS170是逻辑电平MOSFET吗？

答：是的，BS170是一个逻辑电平MOSFET，因为它具有3V的低栅极阈值电压（VDS=VGS，ID=1 mA），这意味着它可以通过使用微控制器的逻辑电平（3.3V或5V）完全打开。