IRFB4115场效应管规格参数_代换型号_中文资料

IRFB4115是一款采用TO-220封装N沟道MOSFET，设计用于SMPS、UPS、高频电路和硬开关电路，但不限于这些用途，还可用于各种其它应用。

IRFB4115晶体管具有150V的高漏源电压，这使其非常适合用于需要低于150V的应用。与此同时，它也是一种非常高速的MOSFET，因此可用于需要非常高速开关的应用。

此外，IRFB4115最高工作温度和结温为175°C，这使得它可以可靠地用于175°C以下的高温应用。

引脚配置

IRFB4115是一款功率MOSFET器件，它包括三个引脚，引脚配置如下：

1. Pin1（G）：MOSFET栅极引脚，用于控制MOSFET的导通和截止；
2. Pin2（D）：MOSFET漏极引脚，用于接通负载的正极；
3. Pin3（S）：MOSFET源极引脚，用于接通负载的负极；

规格特点

• 封装类型：TO-220AB
• 晶体管类型：N沟道
• 从漏极到源极施加的最大电压：150V
• 最大栅源电压应为：±20V
• 最大持续漏极电流为：104A
• 最大脉冲漏极电流为：420A
• 最大功耗为：380W
• 导通状态下的最大漏源电阻 (RDS on)：11mΩ
• 最高存储和工作温度应为：-55至+175摄氏度
• 无铅，符合RoHS，卤素Fr
  

替代和等效的晶体管型号为IRFB4115PBF、IRFB4115G。

主要应用

IRF4115 MOSFET设计用于SMPS、硬开关、高频、UPS 等应用，同时还可用于电机控制、直流到直流转换、太阳能等其他应用。一些比较常见的应用包括：

• 电池管理系统电路
• 开关模式电源
• 电机驱动器应用
• 不间断电源电路
• 音频放大应用
• 电池充电器电路
• 太阳能电源
• 太阳能逆变器
• 直流到直流转换器
• 高频和硬开关电路

安全操作指南/绝对最大额定值：

• 要安全地操作晶体管，最重要的是在其绝对最大额定值至少低于20%的情况下使用它。
• 最大漏源电压为150V，因此为了安全操作不要驱动超过120V的负载。
• 最大连续漏极电流为104A，因此不要驱动超过83A的负载。
• 不要使用没有散热器的晶体管，它会立即损坏晶体管。因此，请始终使用合适的散热器。
• 始终在高于-55°C和低于+175°C的温度下存放或操作它。

需要注意的是，在设计或电路中使用时，请务必牢记希望使用此MOSFET驱动多少负载或多少安培，以及可以提供多大的栅极电压。每个MOSFET都不同，因此其栅极完全导通所需的电压量也不同。根据其规格，IRF4115 MOSFET需要至少6.5至7伏的栅极电压才能完全导通。

漏极-源极电压（V）

栅极到源极电压（V）

最大安全操作区域

典型雪崩电流与脉冲宽度特性

栅极充电测试电路

封装设计参数

总结

IRFB4115是一款应用比较广泛的N沟道MOSFET器件，具有完全表征的电容和雪崩SOA。该MOSFET是一种改进的设计，它具有承受高电压尖峰等能力。此外，它还改进了栅极控制（开-关控制）和改进的 dv/dt，以确保漏源电压的电压处理并防止损坏。