W9825G6KH-6规格参数_原理框图_数据手册

W9825G6KH是一种高速同步动态随机存取存储器（SDRAM）芯片，组织为4M字4组16位。W9825G6KH提供高达每秒200M字的数据带宽。为完全符合个人计算机工业标准，W9825G6KH分为以下速度等级：-5、-5I、-6、-6I、-6J、-6L、-75、75J和75L。

• -5/-5I级器件符合200MHz/CL3规范（-5I工业级保证支持-40°C ≤ TA ≤ 85°C）。
• -6/-6I/-6J/-6L级器件符合166MHz/CL3规范（-6I工业级保证支持-40°C ≤ TA ≤ 85°C，-6J工业级增强级保证支持-40°C ≤ TA ≤ 105°C）。
• -75/75J/75L级器件符合133MHz/CL3规范（保证支持-40°C ≤ TA ≤ 105°C的75J工业增强级）。
• -6L和75L级器件支持最大自刷新电流IDD6，最大1.5mA。

对SDRAM的访问是面向突发的，当通过ACTIVE命令选择存储体和行时，可以以1、2、4、8或整页的突发长度访问一页中的连续存储器位置。列地址由SDRAM内部内部计数器在突发操作中自动生成。通过在每个时钟周期提供其地址，也可以进行随机列读取。多存储区的性质使内部存储区能够交错以隐藏预充电时间。

通过具有可编程模式寄存器，系统可以更改突发长度、延迟周期、交错或顺序突发，以最大限度地提高其性能。W9825G6KH是高性能应用中主存储器的理想选择。

规格参数

功能特点

• 3.3V±0.3V电源
• 高达200 MHz的时钟频率
• 4,194,304字 *4组*16位组织
• 自刷新模式：标准和低功耗
• CAS延迟：2和3
• 连拍长度：1、2、4、8和整页
• 突发读取、单次写入模式
• 由LDQM、UDQM控制的字节数据
• 掉电模式
• 自动预充电和受控预充电
• 8K刷新周期/64毫秒，@ -40°C ≤ TA ≤ 85°C
• 8K刷新周期/16毫秒，@ 85°C < TA ≤ 105°C
• 接口：LVTTL
• 采用TSOP II 54引脚封装，400mil - 0.80，使用符合RoHS标准的无铅材料

引脚配置

功能原理框图

读取计时特性

页面模式读/写（突发长度=8，CAS延迟=3）

模式寄存器设置周期

封装设计参数

常见问题

什么是SDRAM解释？

答：SDRAM（同步DRAM）是与微处理器优化的时钟速度同步的各种动态随机存取存储器 (DRAM) 的通用名称，这往往会增加处理器在给定时间内可以执行的指令数量。

SDRAM慢吗？

答：SDRAM通常是指第一代同步DRAM，它比后续几代 (DDR) 慢，因为每个时钟周期只传输一个字的数据（单数据速率）。

SDRAM需要刷新吗？

答：存储电荷的显着减少会导致数据丢失或数据损坏。为了防止这种情况发生，SDRAM必须定期刷新每个单独存储单元中包含的电荷。

W9825G6KH-6在空闲时IO口是不是高阻状态？

答：根据W9825G6KH-6的规格书说明，当芯片处于空闲状态时，其数据线（DQ）的输出是高阻状态（High-Z），输入引脚（Address、CS、WE、OE等）的输入状态则应为不确定状态，此时应注意不要给这些引脚提供电平信号，否则可能导致芯片不正常工作。

虽然规格书没有专门说明IO口的高阻状态，但由于数据线的输出状态为高阻，可以理解为IO口也处于高阻状态。在这种情况下，如果需要读取存储器中的数据，则需要先选中芯片的CE（Chip Enable）引脚，然后才能在数据线上读取数据。如果需要向存储器写入数据，则需要已选择芯片的CS、WE和CE引脚，然后才能在数据线上写入数据。