稳压芯片LMR16030SDDAR引脚功能电路原理特点

LMR16030SDDAR是一款带有集成型高侧MOSFET的60V、 3A SIMPLE SWITCHER降压稳压器，该器件具有4.3V至60V的宽输入范围，适用于从工业到汽车各类应用中非稳压电源的电源调节，该稳压器在睡眠模式下的静态电流为40μA，非常适合电池供电型系统，它在关断模式下具有1μA的超低电流，可进一步延长电池使用寿命。

该稳压器的可调开关频率范围较宽，这使得效率或外部元件尺寸能够得到优化，内部环路补偿意味着，用户不用承担设计环路补偿组件的枯燥工作，并且还能够以最大限度减少器件的外部元件数，精密使能输入简化了稳压器控制和系统电源排序。

引脚功能图

功能框图

此外，该器件还内置多种保护特性：逐周期电流限制保护、应对功耗过大的热感测和热关断保护、以及输出过压保护。LMR16030采用焊盘外露的8引脚HSOIC封装，可实现低热阻，新产品LM76003需要很少的外部元件，引脚分配设计可简化PCB布局，提供更好的EMI和热性能。

LMR16030SDDAR采用固定频率峰值电流模式控制，电压反馈回路用于通过基于电压偏移调整峰值电流命令，来精确地调节DC电压，顶峰从高侧开关感测电感器电流，并将其与峰值电流进行比较，以控制高压侧开关。

产品应用图

布局示例图

电压反馈回路是内部补偿的，这允许更少的外部组件，使其易于设计，并提供几乎任何输出组合的稳定操作电容器，调节器在正常负载条件下以固定的开关频率运行，在非常轻的负载下LMR16030在睡眠模式下工作以保持高效率，并且开关频率随着负载电流降低。

LMR16030将补偿斜坡添加到MOSFET开关电流感测信号，这个斜坡补偿防止了占空比大于50%时的次谐波振荡，峰值电流限制高侧开关不受斜率补偿的影响，并且在整个占空比范围内保持恒定。

LMR16030SDDAR在轻负载电流下以睡眠模式工作，通过减少开关和栅极驱动损耗，如果输出电压在调节范围内，并且任何开关结束时的峰值开关电流开关周期，低于300mA的电流阈值时，设备进入睡眠模式，睡眠模式电流阈值，是对应于400mV的标称内部COMP电压的峰值开关电流电平。

当处于睡眠模式时，内部COMP电压被箝位在400mV，高侧MOSFET被禁止，并且该设备仅抽取40μA的输入静态电流，由于设备没有切换，因此输出电压开始衰减，电压控制回路通过增加内部COMP电压。

当误差放大器提升内部时，高侧MOSFET被启用并恢复切换COMP电压高于400 mV，输出电压恢复到规定值，内部COMP电压最终降至睡眠模式阈值以下，此时设备再次进入睡眠模式。

以上就是LMR16030SDDAR型号稳压芯片的产品介绍，总体来看，LMR16030是一款降压直流至直流调节器，它通常用于将较高的直流电压，转换为较低的最大输出电流为3A的直流电压。