IRF640N功率MOSFET引脚图_规格参数
IRF640N功率MOSFET使用成熟的硅技术为设计人员提供多样化的器件组合,以服务于各种应用,包括直流电机、逆变器、SMPS、灯、负载开关和电池供电应用。
为便于设计,IRF640N器件可选择具有行业标准尺寸的表面贴装和通孔封装。在本文中,小编将详细介绍下IRF640N器件,,包括主要特性、引出线、规格参数以及IRF640N数据表相关内容。
什么是MOSFET?
简而言之,MOSFET是一种金属氧化物半导体场效应晶体管,用于在电路中切换或放大电压。作为场效应晶体管家族的一员,它是一种由3个端子构成的电流控制器件:
- 源极
- 栅极
- 漏极
MOSFET晶体管的用途本质上是控制源极和漏极之间的电压/电流,其工作原理因MOSFET的类型而异。
规格参数
参数 | 属性值 |
安装方式 | 通孔 |
包装/案例 | TO-220-3 |
晶体管极性 | N沟道 |
通道数 | 1个 |
Vds–漏源击穿电压 | 200伏 |
Id–连续漏极电流 | 18安培 |
Rds On – 漏源电阻 | 150毫欧 |
Vgs – 栅源电压 | – 20伏,+20伏 |
Vgs th – 栅源阈值电压 | 2伏 |
Qg – 栅极电荷 | 44.7纳米 |
最低工作温度 | – 55摄氏度 |
最高工作温度 | + 175摄氏度 |
Pd – 功耗 | 150瓦 |
配置 | 单级 |
下降时间 | 5.5纳秒 |
正向跨导 – 最小值 | 6.8秒 |
高度 | 15.65毫米 |
长度 | 10毫米 |
上升时间 | 19纳秒 |
子类别 | MOSFET |
典型关断延迟时间 | 23纳秒 |
典型的开启延迟时间 | 10纳秒 |
宽度 | 4.4毫米 |
单位重量 | 2克 |
功能特点
- 超低导通电阻
- rDS(ON) = 0.102Ω(典型值),VGS=10V
- 仿真模型
-温度补偿PSPICE®和SABRE©电气模型
-Spice和SABRE©热阻抗模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS评级曲线
- 先进工艺技术
- 动态dv/dt额定值
- 175°C工作温度
- 快速切换
- 完全雪崩额定
- 易于并联
- 简单的驱动要求
- 符号无铅要求
等效和替代的晶体管型号包括IRFB23N20D、IRFB260N、IRFB31N20D、IRFB38N20D、IRFB4127、IRFB4227、IRFB4229、IRFB4233、IRFB42N20D、IRFB4332。
引脚配置
功能框图
典型的输出特性
典型的传输特性
典型的源极到漏极正向电压特性
最大安全操作区域
栅极电荷测试电路
开关时间测试电路
未钳位能量测试电路
峰值二极管恢复dv/dt测试电路
封装设计参数
主要应用
IRF640N是一种N沟道功率MOSFET,主要应用在高功率和高电压开关电路中。IRF640N具有以下一些特点,具体包括:
-
高速开关:由于其低输入和输出电容,允许更快的开关速度。
-
低导通电阻:具有很低的导通电阻,可实现更高的功率输出。
-
高温饱和电压等级:IRF640N 具有600V的高治理电压等级,允许它经受高电压和大电流。
基于这些特点,IRF640N主要应用在各种高功率开关电路,例如直流—交流变换器、DC-DC转换器、电动工具、电机驱动器、电源管理、转换器和灯光控制器等的开关。此外,它也可以应用于汽车电子设备、太阳能逆变器、风力发电机、电气焊接设备和电池充电器等领域。
常见问题
IRF640N通道数是多少?
答:1个
IRF640N连续漏极电流是多少?
答:Vgs=18伏
IRF640N可以在100℃下工作吗?
答:可以,其推荐工作温度在-55°C~175°C之间。
IRF640N有多少个管脚?
答:有3个引脚。
IRF640N的尺寸是多少?
答:高度15.65毫米/长度10毫米/宽度4.4毫米。