IRF9Z34N参数_引脚图_替代型号

IRF9Z34N是一种P沟道功率MOSFET，设计用于各种应用。它采用TO-220AB封装，可以在高达-55V的负载电压下驱动高达-19A的负载。

IRF9Z34N MOSFET具有非常好的 RDS(on) 或导通状态下的静态漏源电阻为0.10欧姆。其中一些比较典型的特性包括：

• 快速切换：具有快速开关速度的能力，这是许多电子应用所需要的。
• 动态dv/dt额定值：在MOSFET的开关切换期间，其从漏极到源极的电压变化非常快，这会导致电压尖峰，动态dv/dt额定值可确保MOSFET中的最大VDS变化能力，这也是MOSFET中需要考虑的重要因素。
• 175°C工作温度：高温特性或能力使MOSFET更加稳定和不易损坏。
• 完全雪崩额定：完全额定雪崩是一项功能，可避免MOSFET因超过MOSFET的击穿电压限制而出现电压尖峰，具有此功能的MOSFET非常适合开关电源或电感负载等应用。

引脚配置

IRF9Z34N是一款MOS场效应管，其引脚配置如下：

1. 引脚1（G）：为栅极引脚，用于控制MOS管的导通和截止。

2. 引脚2（D）：为漏极引脚，用于承受电流和将电流输送到外部负载中。

3. 引脚3（S）：为源极引脚，用于设置MOS管的电位，通常电路中此引脚连接到接地。

注意事项：

1. 在使用IRF9Z34N时，应注意其额定参数，如额定电流、额定电压、工作温度等。

2. 在焊接时，应注意将引脚正确地连接到相应的引脚孔中，以保证元件的正常工作。

3. 在使用IRF9Z34N时，应注意保持元件的散热良好，避免过热导致元件失效。

规格参数

• 封装类型：TO-220AB
• 晶体管类型：P沟道
• 从漏极到源极施加的最大电压：-55V
• 最大栅源电压应为：±20V
• 最大持续漏极电流为：-19A
• 最大脉冲漏极电流为：-68A
• 最大功耗为：68W
• 总栅极电荷为：35nC
• 导通状态下的最大漏源电阻 (RDS on)：10Ω
• 最大存储工作和结温为：-55至+175摄氏度

等效和替代型号包括UTT30P06、FQP27P06、CEP20P10、AM90P06‑20P、MTB110P10E3。

主要应用

IRF9Z34N MOSFET可用于电源、电机或其他电子设备控制等控制电路、照明电路、汽车电路、音频电路等，一些常见的应用如下：

• 电池管理系统电路
• LED驱动电路
• 电机驱动器应用
• 开关模式电源
• 小型UPS电路
• 音频放大器电路
• 太阳能逆变器
• 太阳能电源
• 电池充电器电路
• 汽车电路

安全操作规范

要安全地操作此MOSFET，不要在晶体管的绝对最大额定值上使用它是非常重要的，使用任何晶体管达到其绝对最大额定值可能会损坏晶体管或削弱其性能：

• 晶体管的最大漏源电压为-55V，因此不要驱动超过-44V的负载。
• 最大连续漏极电流为-19A，因此不要驱动超过15A的负载。
• 始终使用晶体管的散热器。
• 请勿在低于-55°C和高于+175°C的温度下存放或操作晶体管。

典型的输出特性

典型栅极电荷与栅极-源极电压之比

典型源极-漏极二极管正向电压

最大安全操作区域

对于P通道HEXFET特性

封装设计参数

总结

IR公司的第五代HEXFET利用先进的加工技术，实现每硅面积极低的导通电阻。这种优势，再加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和加固的器件设计，为设计者提供了一种在各种应用中使用的极其高效和可靠的器件。

另外，TO-220封装是所有商业工业应用的普遍首选，功耗水平约为50瓦。TO-220的低热阻和低封装成本有助于其在整个行业中的广泛接受。